ПОДПИСКА НА ЖУРНАЛ ОН-ЛАЙН ФОРУМ
  русская версия   english version home   |   mail   |   tree
Главная О журнале Архив Подписка Размещение рекламы Контакты
chip
 Рубрикатор

ТЕКУЩИЙ НОМЕР

#3 2017

#3 2017

КОНТАКТЫ

Тел./факс: (+38044) 490-74-99
Тел. (+38044) 490-74-30
E-mail: info@chipnews.com.ua





Рубрикатор


Андрей Колпаков, Андрей Гладских
Силовая электроника и сопромат
№3
2017
Штефан Хаузер (Stefan Hauser), Андрей Колпаков
100% SiC или гибрид?
Инновации в сфере силовой электроники связаны в первую очередь с внедрением широкозонных материалов, применение которых позволяет не только повысить эффективность преобразования, но и создавать силовые ключи с принципиально новыми свойствами. Карбид кремния рассматривается как один из наиболее перспективных материалов для разработки новых поколений силовых ключей. Особенностям SiC­технологии посвящено множество публикаций, а ведущие мировые производители уже предлагают широкую гамму транзисторов SiC MOSFET и диодов SiC Шоттки.
Однако широкое внедрение технологии SiC ограничено рядом факторов, связанных с относительно большой стоимостью, некоторыми физическими особенностями и высокой плотностью дефектов. Замена традиционных типов транзисторов на карбидокремниевые также является достаточно сложной задачей, поэтому целесообразность использования SiC-ключей в конк­ретных устройствах должна тщательно анализироваться.
Говоря об очевидных достоинствах карбидокремниевых модулей (и зачастую умалчивая об их недостатках), не стоит забывать об альтернативной технологии, предусматривающей совместную работу IGBT и диодов SiC Шоттки. Подобные «гибридные» модули выпускаются многими мировыми производителями, в том числе SEMIKRON.
№2
2017
Ранджи Браманпалли (Ranjith Bramanpalli)
Расчет потерь индуктора с помощью программы Wurth Elektronik’s REDEXPERT
№2
2017
Стефан Клейн (Stefan Klein)
Как показать номинальный ток в наилучшем свете
Индукторы используются в импульсных преобразователях в качестве силовых дросселей. Такие параметры, как индуктивность, номинальный ток, ток насыщения и омическое сопротивление RDC, определяются и указываются производителями моточных изделий в технических спецификациях. На практике следует сравнивать катушки одинаковой конструкции, что позволяет сделать выбор для применения в конкретном импульсном устройстве. Но при этом часто возникает вопрос к производителям: почему величина номинального тока может отличаться для индукторов одинаковой конструкции, произведенных разными компаниями?
№1
2017
Райнер Вейс (Rainer Weiss), Питер Бекдал (Peter Beckedahl); перевод и комментарии: Андрей Колпаков
Высоковольтные испытания силовых модулей
Цель большинства современных стандартов электротехнической промышленности — защита пользователей от воздействия электрического тока. Для решения этой задачи сформулированы четкие требования безопасности, предъявляемые к конструкции изделий и производственным процессам. Для оценки их выполнения проводятся специальные испытания, самым важным из которых является проверка изоляции на воздействие высокого напряжения. В англоязычной литературе для обозначения таких тестов используют термины dielectric (strength) test, dielectric voltage-withstand test, flash test, high potential («HiPot») test, isolation test.
№10
2016
Нобухико Танака (Nobuhiko Tanaka), Виктор Толстопятов
Новая серия высоковольтных IGBT-модулей с улучшенными параметрами надежности
Необходимый период безотказной работы силовых полупроводниковых приборов, устанавливаемых в ответственных устройствах и системах, в настоящее время достигает 30 лет. Чтобы удовлетворить столь высокие требования к надежности, компания Mitsubishi Electric разработала новую линейку высоковольтных IGBT-модулей (HVIGBT) с использованием последних достижений в области разработки чипов, получившую название «X­серия». Она была создана для того, чтобы снизить количество выходов модулей из строя благодаря улучшенным характеристикам надежности. В статье представлены особенности новой X-серии, которые обычно не приведены в спецификации к этим модулям.
№10
2016
Вильгельм Руш (Wilhelm Rusche), Андре Р. Штегер (Andre R. Steger); перевод: Владимир Рентюк
Повышение производительности IGBT 5 за счет оптимизации конструкции модуля
Повышенная тепловая мощность (Tvj,op = +175 °C) IGBT 5-го поколения и контролируемые по эмиттеру диоды (emitter controlled diode) компании Infineon Technologies позволяют увеличить рабочий ток силовых модулей, используемых в инверторных приложениях.
№8
2016
Арендт Винтрих (Arendt Wintrich, Ульрих Николаи (Ulrich Nicolai), Вернер Турски (Werner Tursky), Тобиас Рейман (Tobias Reimann); перевод и комментарии: Андрей Колпаков
Технологии силовой электроники: текущее состояние и перспективы
Разработка устройств c большой удельной мощностью, таких как современные транспортные приводы и преобразователи энергетических станций, требует применения силовых модулей, отличающихся высокой надежностью и уникальными электрическими и тепловыми характеристиками. Решение этих задач невозможно без внедрения новых полупроводниковых материалов и современных технологий корпусирования. В частности, для повышения плотности мощности и расширения температурного диапазона необходимо полностью исключить паяные и сварные соединения.
№8
2016
Андрей Колпаков
Эволюция IGBT SEMIX: от пружин к прессовой посадке
Одной из основных причин отказов силовых модулей является разрушение паяных соединений, вызванное термомеханическими стрессами, ударными и вибрационными воздействиями, а также усталостными процессами. В наибольшей мере эта проблема относится к устройствам, работающим в тяжелых условиях эксплуатации — на транспорте и в энергетике.
Поиском альтернативных решений, обеспечивающих надежную электрическую связь без применения пайки и сварки, занимаются многие производители. На сегодня наиболее перспективными считаются пружинные соединения и прессовая посадка. Технология пружинных контактов активно внедряется компанией SEMIKRON, она использована в миниатюрных модулях MiniSKiiP, силовых ключах новейшего поколения SEMiX, интеллектуальных модулях высокой мощности SKiiP. Кроме удобства монтажа, пружины обеспечивают высокую стойкость к механическим воздействиям и отсутствие усталостных процессов, свойственных пайке и сварке. Они предназначены для коммутации широкого диапазона токов: от единиц миллиампер в сигнальных соединениях до десятков ампер в силовых цепях [1–4].
Еще один перспективный вариант гибкого сочленения — прессовая посадка (Press-Fit), осуществляющая простое и надежное соединение в широком диапазоне температур. Технология Press­Fit хорошо известна в автомобильной индустрии и секторе телекоммуникации. SEMIKRON использовал метод прессовой посадки при разработке новейшей серии модулей SEMiX Pewss-Fit и цифровых драйверов SKYPER 12.
№7
2016
Андрей Колпаков, Андрей Гладских
Силовая электроника и сопромат
В условиях жесткой конкуренции производителю устройств силовой электроники недостаточно единожды завоевать популярность, зарекомендовав себя надежным и качественным поставщиком. Однако, репутацию очень легко потерять из-за отказов выпускаемого оборудования. Как кажущиеся малозначимыми моменты технологических процессов производства могут повлиять на надежность выпускаемых изделий и как этого избежать, мы и рассмотрим в данной статье.
№7
2016
Мэрион Кинд (Marion Kind); перевод и комментарии: Андрей Колпаков
Охлаждение силовых модулей: оценка эффективности жидкостных радиаторов в различных режимах работы
В процессе эксплуатации силовые полупроводниковые приборы генерируют тепло, которое необходимо отвести, обеспечив минимальный перегрев кристаллов относительно окружающей среды. В зависимости от конкретных условий эксплуатации для этой цели используется принудительное воздушное или жидкостное охлаждение. Первый способ, как правило, применяется в системах малой и средней мощности, не имеющих внешнего теплообменника. Преимуществом жидкостных радиаторов является более высокая эффективность отвода тепла, необходимая в преобразователях мегаваттного диапазона.
В данной части статьи анализируется зависимость динамического теплового импеданса радиатора Zth(s–a) от скорости потока, состава и температуры охлаждающей жидкости. Дано обобщенное определение параметра Zth(s–a), рассмотрен разработанный SEMIKRON способ его оценки с учетом влияния различных факторов.
№3
2016
Антон Гореев
Защита от кондуктивных помех с помощью фильтров EPCOS
№3
2016
Андрей Колпаков
Все, что надо знать про SOA
При выборе силового ключа для конкретного применения мы анализируем массу различных факторов, но очень редко задумываемся о таком важном показателе, как область безопасной работы (Safe Operating Area, SOA). Во многом это связано с тем, что появление современных MOSFET- и IGBT-модулей, допускающих коммутацию при номинальных значениях токов и напряжений, несколько снизило актуальность SOA для обеспечения надежной работы изделия. Напомним, что в отношении биполярных транзисторов (BJT) данная характеристика имела исключительно важное значение в динамических режимах работы, где ограничения по максимальному коммутируемому току и напряжению зависели от длительности импульса. Поэтому применение биполярных ключей в мощных преобразователях класса D было невозможно без использования снабберов — цепей формирования траектории переключения.
№2
2016
Андрей Колпаков
Карбид кремния: панацея или не будем спешить?
Улучшение свойств силовых кристаллов, поиск новых конструктивных решений и совершенствование существующих технологий обеспечивают непрерывное эволюционное улучшение характеристик электронных ключей. Применение передовых методов изготовления и прецизионных методов контроля, а также уменьшение размеров полупроводниковых структур привели к тому, что свойства современных силовых приборов подошли к пределам, обусловленным физическими свойствами кремния. Это явилось причиной поиска альтернативных полупроводниковых материалов, который ведется с начала 50-х годов и особенно активизировался в последнее время.
Революционные инновации в силовой электронике связаны в первую очередь с внедрением новых широкозонных материалов, применение которых позволяет не только повысить эффективность преобразования, но и создавать силовые ключи с принципиально новыми свойствами. Использование карбида кремния (SiC) дает возможность существенно снизить уровень потерь на высоких частотах и расширить температурный диапазон. Традиционные кремниевые диоды с мягкой характеристикой выключения также с успехом могут быть вытеснены SiC-диодами с барьером Шоттки. Однако при переходе на новые типы полупроводниковых приборов необходимо тщательно изучить их особенности, технические и экономические показатели, проанализировать целесообразность применения для конкретной задачи.
№10
2015
Филипп ле Бретон (Philippe Le Breton); перевод и комментарии: Андрей Колпаков
Силовые сборки SEMISTACK RE на суше и на море
Современный рынок силовой электроники предъявляет все более жесткие требования к компонентам, предназначенным для применения в энергетике и на транспорте. Среди устройств, работающих в тяжелых условиях эксплуатации, можно назвать и тяговые приводы, используемые на судах с системой электродвижения. Внедренные компанией SEMIKRON технологии SKiiP [1] и SkiN [2] дают возможность преодолеть существующие конструктивные ограничения и создавать компактные силовые ключи мегаваттного диапазона, обладающие высокой надежностью.
Современные преобразовательные устройства отличаются повышенными требованиями по плотности мощности, стойкости к климатическим и механическим воздействиям. Для решения этой задачи компанией SEMIKRON разработаны конструктивные платформы SEMISTACK RE и SKiiP RACK, предназначенные для создания конвертеров мощностью 0.5–5 МВт.
№9
2015
Андрей Колпаков
И никакой пайки! О надежности сигнальных соединений силовых модулей
Поиском альтернативных решений, обеспечивающих надежную электрическую связь без применения пайки и сварки, занимаются многие производители. На сегодня наиболее перспективными считаются пружинные соединения и прессовая посадка. Технология пружинных контактов активно внедряется компанией SEMIKRON, она применяется в миниатюрных модулях MiniSKiiP, силовых ключах новейшего поколения SEMiX, интеллектуальных модулях высокой мощности SKiiP.
№7
2015
Алекс Лидоу (Alex Lidow), Йохан Стридом (Johan Strydom), Дэвид Рейш (David Reuch); Перевод: Святослав Юрьев
Технология GaN быстро завоевывает новые рынки
Элементы силовой электроники на основе нитрида галлия (GaN) стремительно обретают популярность благодаря своей способности работать на частотах и скоростях переключения, значения которых лежат далеко за пределами возможностей силовых приборов на основе кремния. Дискретные компоненты на основе GaN могут функционировать при скоростях нарастания выходного напряжения вплоть до 70 В/нс, при этом на характеристики системы существенно влияют факторы, не связанные с активными силовыми компонентами, — такие как высокоскоростные драйверы затворов и компоновка печатных плат.
В данной статье рассматривается семейство мощных полевых транзисторов (FET) на основе нитрида галлия (eGaN FET) с улучшенными характеристиками в области высоких частот, предназначенных для применения в высокочастотных вольт­добавочных преобразователях, работающих в мультимегагерцевом диапазоне. Эти устройства были разработаны для выполнения операций переключения высоковольтных напряжений мощных токов на высоких частотах.
№7
2015
Андрей Колпаков
Возвращаемся к термопасте
О применении теплопроводящих материалов (Thermal Inter­face Material, TIM) написано много статей и руководств по эксплуатации, однако эта проблема продолжает привлекать внимание специалистов, работающих в сфере производства электронной техники. Требования, связанные с качеством обработки поверхности радиатора и нанесения термопасты, ужесточились с появлением силовых ключей без базового (медного или композитного) несущего основания (SKiM, MiniSKiiP). Их разработка позволила резко повысить надежность и улучшить тепловые характеристики преобразовательных устройств. Чтобы полностью реализовать возможности «безбазовых» модулей, процесс нанесения TIM должен выполняться особенно тщательно. Известно, что немалое число отказов при эксплуатации силовых модулей связано с нарушением правил применения термопаст. Большой интерес также вызывает появление новых технологий и материалов с изменяемым фазовым состоянием, а также возможность их нанесения предприятием–изготовителем модулей.
№6
2015
Карл Блэйк (Carl Blake), Крис Булл (Chris Bull)
IGBT или MOSFET: выбирайте с умом
С развитием полупроводниковых технологий выбор между применением MOSFET или IGBT в конкретном устройстве становится все более трудным для современного разработчика. В предлагаемой статье приведено несколько основных правил, которые помогут принять решение о выборе типа транзистора.
№6
2015
Стефан Шулер (Stefan Schuler), Константин Лиски (Konstantin Lickey); Перевод и комментарии: Андрей Колпаков
Охлаждение силовых модулей: проблемы и решения. Часть 4
Жидкостное охлаждение позволяет максимально эффективно рассеивать тепловую энергию, генерируемую полупроводниковыми приборами. Кроме конвертеров высокой мощности, данный способ отвода тепла применяется в системах, имеющих штатный контур циркуляции охлаждающей жидкости (автомобили, индукционные нагреватели, гальванические ванны).
Наибольшей эффективностью обладают многоканальные системы жидкостного охлаждения, предназначенные для использования в преобразователях мегаваттного диапазона мощности. Для их работы важно обеспечить равномерное распределение и быстрое прохождение жидкости по каналам радиатора.
№5
2015
Алексей Попов, Сергей Попов
Силовые модули Vishay и их применение
В 2007 году компания Vishay приобрела у Internatinal Rectifier большую часть ее полупроводникового бизнеса, в том числе производство силовых полупроводниковых приборов и силовых модулей. Сейчас Vishay является одним из крупнейших в мире производителей дискретных полупроводниковых приборов и пассивных компонентов.
№5
2015
Вячеслав Гавриков, Кирилл Автушенко
Сильные и надежные: промышленные IGBT-модули от International Rectifier
Компания International Rectifier анонсировала выпуск новой продукции — силовых IGBT-модулей. На первом этапе в производство запущены модули на базе IGBT-кристаллов поколений Gen5 и Gen7. Затем предполагается начать изготовление модулей, содержащих IGBT­кристаллы нового поколения Gen8, обладающих низкими значениями напряжения насыщения и способных коммутировать большие токи. Цель данной статьи — познакомить читателей с номенклатурой IGBT­модулей IR.
№5
2015
Уве Шерман (Uwe Scheuermann); Перевод и комментарии: Андрей Колпаков
Надежность силовых модулей в предельных условиях эксплуатации
Автомобильная индустрия наиболее активно стимулирует производителей электронных компонентов к разработке новых устройств. Решение задач, связанных с особенностями работы тягового электропривода, требует создания новых технологий и материалов, а также совершенствования производственных процессов. Заметным шагом на этом пути стало внедрение компанией SEMIKRON технологий прижимного контакта и низкотемпературного спекания.
Их использование позволило полностью исключить развитие усталостных процессов в паяных соединениях и обеспечить высокую стойкость к термоциклированию. Эти и многие другие инновации были применены при создании серии транспортных модулей SKiM63/93 и интеллектуальных силовых ключей 4-го поколения SKiiP.
На заре развития силовой электроники оценка ресурса компонентов производилась на основе выходного тока (или мощности) и выбранного коэффициента запаса. В наши дни для этой цели исследуется профиль нагрузки, отражающий динамическое поведение преобразовательной и охлаждающей системы в конкретных условиях использования. Такой подход, требующий применения адекватных ресурсных моделей, позволяет существенно повысить точность прогнозирования.
№4
2015
Бастиан Воглер (Bastian Vogler), Рейнхард Херцер (Reinhard Herzer), Свен Бьютов (Sven Buetow), Сусанна Бекер (Susanne Becker); Перевод и комментарии: Андрей Колпаков
SOI — технология интегральных драйверов IGBT
Интеллектуальные силовые модули (IPM — Intellectual Power Module) широко используются в приводах, источниках питания и многих других преобразовательных устройствах. Диапазон мощностей данных применений достаточно большой: от сотен ватт в миниатюрных приводах до мегаватт в энергетических установках. Миниатюрные интеллектуальные ключи киловаттного класса могут быть реализованы с помощью твердотельных драйверов, встраиваемых в IGBT-модули.
Новая технология производства интегральных устройств управления транзисторами с рабочим напряжением 600 и 1 200 В получила название SOI (Silicon On Insulator или «кремний на изо­ляторе»). Основными ее преимуществами являются полное подавление эффекта защелкивания, высокий иммунитет к наведенным помехам обеих полярностей и хорошие теп­ло­вые характеристики. Усовершенствованная микросхема SOI-драйвера, представленная SEMIKRON в 2014 г., обеспечивает отрицательный сигнал выключения затвора и защиту по выходу из насыщения (Desat) каждого из шести ключей инвертора.
Представленные в статье результаты измерений статических и динамических характеристик подтверждают высокие эксплуатационные возможности драйвера.
№3
2015
Игорь Васильев
Регулируемые компактные термостаты для щитового оборудования
Статья знакомит читателей с продукцией компании Microtherm CZ s.r.o, а именно — с регулируемыми компактными термостатами для щитового оборудования.
№3
2015
Андрей Колпаков, Андрей Гладских
Тиристорные и диодно-тиристорные модули нового поколения
Статья отвечает на любимый вопрос разработчиков: «Чем отличается новый модуль от привычного и проверенного временем старого». Приводится описание того, какие именно изменения в технологии привели к улучшению важных параметров диодно-тиристорных модулей SEMIKRON.
№1
2015
Владимир Рентюк
Шаговые двигатели и особенности их применения
В статье рассматриваются типы шаговых двигателей, особенности их применения и схемы несложных устройств управления, позволяющие оценить возможности и освоить этот тип двигателей на практике. Статья написана на основании опыта автора по использованию шаговых двигателей в робототехнике [1, 2].
№1
2015
Александр Файел (Alexander Fiel), Томас Ву (Thomas Wu)
Механизмы отказов MOSFET в мостовых импульсных источниках питания с переключениями при нулевом напряжении (ZVS)
В связи с экспоненциальным ростом спроса на мощное телекоммуникационное и серверное оборудование ежегодно повышаются требования к плотности мощности его источников питания. Увеличение плотности мощности достигается за счет снижения числа компонентов в схеме, уменьшения габаритных размеров реактивных компонентов и/или возрастания эффективности системы. Переход на более высокие частоты переключения способствует уменьшению габаритов реактивных компонентов и фильтров. Для улучшения эффективности, что в свою очередь позволяет уменьшить размеры теплоотводов или сократить количество параллельно включенных силовых ключей, необходимо снижать потери на проводимость и/или на переключение. В связи с этим все более популярными становятся мостовые схемы с фазовым сдвигом и переключениями при нулевом напряжении (ZVS), имеющие даже на повышенных рабочих частотах чрезвычайно низкие потери на переключение.
№1
2015
Инго Стаудт (Ingo Staudt), Андрей Колпаков
Трехуровневые инверторы: теория и практика
Инверторы напряжения, выполненные по трехуровневой схеме (3L NPC), применяются в устройствах, работающих на высокой частоте коммутации и отличающихся особыми требованиями по КПД и качеству выходного сигнала: источниках бесперебойного питания (UPS) и инверторах солнечных батарей. Как правило, снижение уровня гармонических искажений достигается в результате повышения рабочей частоты fsw, что, в свою очередь, ведет к росту динамических потерь. Многоуровневая схема позволяет при относительно низком значении fsw решить эту проблему и, кроме того, снизить требования к выходному фильтру, габариты и стоимость которого существенно влияют на показатели всего изделия. Еще одним достоинством 3L­топологии является низкий уровень излучаемых электромагнитных шумов, что особенно важно для таких применений, как UPS.
№10
2014
Оливер Хеллмунд (Oliver Hellmund), Хайко Реттингер (Heiko Rettinger), Михаэль Вендт (Michael Wendt); Перевод: Артём Беляков
Новое семейство универсальных ИС для драйвера затвора
Компания Infineon Technologies представляет новое семейство одноканальных ИС драйвера затвора EiceDRIVER Compact общего назначения. Различные модели семейства предназначены для работы с дискретными IGBT, IGBT-модулями, МОП-транзисторами, а также SiC- и GaN-ключами.
№10
2014
Фрэнк Вэйкмэн (Frank Wakeman), Эшли Голланд (Ashley Golland); Перевод: Иван Полянский
Press-Pack IGBT для преобразователей большой мощности
Технология Press-Pack IGBT изначально разрабатывалась в качестве решения для приложений большой мощности, где приходится преобразовывать единицы и десятки мегаватт электроэнергии. Выпуск новых Press-Pack IGBT 6.5 кВ позволил существенно расширить потенциальную область применения данной технологии в высоковольтных приложениях за счет снижения числа необходимых компонентов. Высокая надежность и низкие потери Press-Pack IGBT отвечают самым современным требованиям при построении эффективных преобразователей для разных областей деятельности.
№10
2014
Сюэ­Ронг Чанг (Hsueh­Rong Chang), Джианканг Бу (Jiankang Bu), Хеннинг Хаунштейн (Henning Hauenstein), Майкл Уитманн (Michael Wittmann), Джек Марсинковский Jack Marcinkowski), Марк Пейвьер (Mark Pavier),Скотт Палмер (Scott Palmer), Джим Томпкинс (Jim Tompk
Компактные 200­кВ•А IGBT-модули с двухсторонним охлаждением для электрических и гибридных транспортных средств
Компанией IR разработаны мощные компактные полумостовые IGBT­модули с двухсторонним охлаждением, рассчитанные на ток до 300 А и напряжение до 650 В. Базовый блок COOLiR2DIE монтируется в корпус без приваривания проволочных выводов и при размерах всего 28.5 x 16 мм рассчитан на мощность 200 кВ•А. Низкое напряжение в открытом состоянии наряду с большой площадью теплообмена увеличивает нагрузочную способность модулей по току на 30 %.
№9
2014
Уве Шиллинг (Uwe Schilling); Перевод и комментарии: Андрей Колпаков
Насколько надежен «интеллект»?
Надежность, понимаемая как способность полупроводниковых элементов сохранять свои свойства в течение определенного периода времени, — одна из важнейших характеристик силовых модулей, отличающихся высокой тепловой и электрической нагрузкой. Их отказ может иметь тяжелые прямые и косвенные последствия в техническом и экономическом плане.
Показатели надежности интеллектуальных силовых модулей (IPM), имеющих большую функциональную насыщенность и высокую степень интеграции, хуже, чем у простых стандартных. Однако прямое сравнение в данном случае некорректно, поскольку IPM — сложная система, которая наряду с силовым каскадом может содержать драйвер, устройство защиты, датчики. В данной статье будут рассмотрены особенности интеллектуальных ключей SEMIKRON, обеспечивающие соответствие стандартам ISO 9001 и VDA 6 (часть 1).
№9
2014
Владислав Филатов
Semix как основа для построения надежной системы
№8
2014
Томас Грассхоф (Thomas Grasshoff), Рейнгард Неллдорфер (Reinhard Helldorfer); Перевод и комментарии: Андрей Колпаков
SKiiP­X — силовой интеллектуальный модуль XXI века
Современный рынок силовой электроники предъявляет все более жесткие требования к компонентам, предназначенным для применения в энергетике и на транспорте. Разработанная компанией SEMIKRON технология корпусирования SKiN [1] позволяет преодолеть существующие конструктивные ограничения и создавать компоненты, отличающиеся более высокой плотностью мощности, надежностью и расширенным температурным диапазоном. SkiiP­X — первый силовой ключ, выполненный в соответствии со SkiN­концепцией и подготовленный к серийному производству. Секционные интеллектуальные модули (IPM), созданные на его основе, предназначены для применения в преобразователях мегаваттного диапазона.
№7
2014
Абдус Саттар (Abdus Sattar); Перевод: Иван Полянский
Сравнение новейших HiPerFET MOSFETs с семейством Super Junction MOSFETs
С выпуском третьего семейства P3 HiPerFET силовых MOSFET компания IXYS установила новую планку параметров этих устройств для средних и высоких частот. Применение новых транзисторов позволит создавать продукты, которые с высокой надежностью и эффективностью способны решить самые современные задачи преобразования высокого напряжения.
№7
2014
Уве Шойерманн (Uwe Scheuermann); Перевод и комментарии: Андрей Колпаков
Раздвигая границы. Легко ли поднять рабочую температуру силовых модулей до +200 °С?
Большинство производителей силовой элементной базы анонсируют повышение рабочей температуры чипов новых поколений до +200 °С. Однако модули состоят не только из полупроводниковых кристаллов, они включают в себя массу интерфейсных материалов, которые также должны быть рассчитаны на расширенный температурный диапазон. Повышенная температура действует на все элементы конструктива и их соединения, и подобное кардинальное изменение условий эксплуатации должно происходить без ущерба для надежности. Одним из наиболее проблемных узлов является сварное соединение алюминиевых проводников, используемых для подключения чипов к медным токонесущим шинам. Внедрение концепции гибких пленок SKiN [1] позволяет полностью отказаться от проводникового способа соединения кристаллов, однако эта технология непригодна для производства компонентов в стандартных корпусах. Решение проблемы, предложенное компанией HERAEUS, состоит в замене чистого алюминия на композит Al/Cu.
№6
2014
Анатолий Бербенец
EiceDRIVER — семейство микросхем высоковольтных драйверов IGBT и MOSFET
В статье рассмотрено семейство микросхем драйверов компании Infineon Technologies для управления IGBT и MOSFET силовыми ключами инверторных схем с выходной мощностью до нескольких десятков киловатт. Области их применения — промышленные приводы, источники бесперебойного питания, индукционный нагрев, вентиляция, бытовая техника, электроинструменты. Приведены основные функциональные характеристики драйверов. Описаны особенности нового набора микросхем EiceDRIVER Сompact на 600 В, ориентированного на применение в бытовой технике.
№6
2014
Анатолий Белоус, Александр Прибыльский
Особенности современных технологий изготовления изделий полупроводниковой силовой электроники
Современный уровень развития технологий микроэлектроники не только позволяет создавать интегральные схемы, состоящие из нескольких миллионов транзисторов, но и обеспечивает возможность реализации на одном полупроводниковом кристалле ранее несовместимых элементов с различными электрическими характеристиками — низковольтные и высоковольтные, низкочастотные и высокочастотные. В частности, это позволило создать новый класс микросхем — интеллектуаль­ные интегральные схемы силовой электроники.
№6
2014
Абдус Саттар (Abdus Sattar), Владимир Цуканов (Vladimir Tsukanov); Перевод: Иван Полянский
GenX3 IGBT компании IXYS
№6
2014
Стефан Шуле (Stefan Schuler); Перевод и комментарии: Андрей Колпаков
Проблемы применения драйверов IGBT: паразитные связи и ВЧ-осцилляции
Надежность передачи сигналов управления от драйвера к силовому модулю связана с рядом важных вопросов, одним из которых является влияние паразитных контуров. Особенно отчетливо это проявляется на высоких скоростях коммутации IGBT или при выходе из насыщения в случае перегрузки по току. В данной статье рассмотрены некоторые аспекты проблемы, а также рекомендации по ее решению.
№5
2014
Юрий Петропавловский
Силовые преобразователи напряжения компании Traco Electronic AG серий TZL, TSC и TSD
Компания Traco Electronic AG (Цюрих, Швейцария) более 30 лет известна как производитель высоконадежных преобразователей напряжения, выпускаемых под маркой TRACOPOWER. В состав продукции компании входит большая номенклатура мощных AC/DC, DC/DC, DC/AC преобразователей напряжения, предназначенных для применения в различных промышленных приложениях, в том числе на ж/д транспорте, в автомобильной промышленности, энергетике, химической промышленности, системах автоматизации производства и телекоммуникациях. Продукция компании представлена по всему миру, дистрибьюторами в России являются компании Argussoft, PT Electronics и «СЭА Электроникс».
№5
2014
Виктор Толстопятов, Марко Хонсберг (Marco Honsberg), Ойген Штумпф (Eugen Stumpf)
Новые транзисторы NX6.1 для промышленного применения
№5
2014
Арендт Винтрих (Arendt Wintrich), Ульрих Николаи (Ulrich Nicolai), Вернер Турски (Werner Tursky), Тобиас Рейман (Tobias Reimann); Перевод и комментарии: Андрей Колпаков
IGBT и MOSFET: основные концепции и пути развития. Часть 2. MOSFET
№4
2014
Джимми Лю (Jimmy Liu), Кин Лэп Вонг (Kin Lap Wong), Скотт Аллен (Scott Allen), Джон Мооккен (John Mookken)
Новое поколение SiC MOSFET в DC/DC-преобразователе с жестким режимом переключения
№4
2014
Дэвид Чиола (Davide Chiola), Марк Томас (Mark Thomas)
Повышение эффективности силовой электроники за счет совершенствования конструкции IGBT-транзисторов
№4
2014
Арендт Винтрих (Arendt Wintrich), Ульрих Николаи (Ulrich Nicolai), Вернер Турски (Werner Tursky), Тобиас Рейман (Tobias Reimann); Перевод и комментарии: Андрей Колпаков
IGBT/MOSFET: основные концепции и пути развития
№3
2014
Стеффан Рапп
Решение проблем теплоотвода: нестандартный подход
Радиаторы, вентиляторы или теплопроводящие пасты применяются в основном как средства для отвода тепла. Но часто у них слишком большие размеры, они слишком дороги или и то, и другое вместе. В частных случаях могут быть найдены недорогие хитроумные решения. Единственное условие при этом — решение вопросов управления теплоотдачей должно учитываться заблаговременно, еще в процессе разработки конечного изделия.
№3
2014
Пол Кирстед (Paul Kierstead); Перевод: Евгений Карташов
Второе поколение SiC MOSFET с повышенной эффективностью и сниженной стоимостью
№3
2014
Бредли Грин (Bradley Green), Холгер Остманн (Holger Ostmann), Йерен ван Зееланд (Jeroen van Zeeland); Перевод: Иван Полянский
Как технологические инновации способны дать новую жизнь тиристорам в XXI веке
Компания IXYS продолжает следовать стратегии «больше удельной мощности в меньшем корпусе», открывая новые горизонты в традиционной технологии тиристорных и диодных модулей.
№3
2014
Иван Полянский
Новые IGBT компании IXYS
№2
2014
Фолкер Демут (Volker Demuth), Андрей Колпаков
Технология SiC в модулях SEMIKRON
Постоянные улучшения свойств силовых кристаллов, поиск новых решений и совершенствование существующих технологических процессов приводят к непрерывным эволюционным изменениям характеристик электронных ключей. На сегодня наиболее широкое распространение на рынке силовой электроники получили кремниевые MOSFET/IGBT-модули и PIN-диоды. Основным препятствием на пути их дальнейшего совершенствования является высокое значение энергии потерь и ограниченный диапазон рабочих температур.
№2
2014
Мринал К. Дас (Mrinal K. Das)
MOSFET­-модуль на основе SiC заменяет кремниевые IGBT-модули c втрое большим номинальным током в инверторах напряжения
В статье приводится оценка работы в широко распространенных инверторах напряжения (VSI) на обычных частотах серийно выпускаемых модулей на SiC и кремниевых модулей с номинальным напряжением 1200 В. На низкой частоте 5 кГц SiC­-модуль с током 100 А способен заменить кремниевый модуль с током как минимум 150 А, обеспечив значительное преимущество по рабочим характеристикам и надежности. На час­тоте 16 кГц модуль на SiC с током 100 А заменяет кремниевый модуль с током до 300 А с соблюдением требований к работе при перегрузке и к запасу по тепловыделению. Малые потери при переключении, свойственные полевым МОП-транзисторам (MOSFET) на основе карбида кремния (SiC), обеспечивают снижение стоимости конечной системы даже на низкой частоте.
№2
2014
Омар Хармон (Omar Harmon), Хольгер Хаскен (Holger Husken)
Влияние выбора диода на характеристики силовой системы
Важно использовать силовые приборы, оптимизированные под конкретные условия работы силовой системы.
№1
2014
Андрей Колпаков
Охлаждение силовых модулей: проблемы и решения
Удельное значение мощности потерь, рассеиваемой в современных силовых модулях, достигает сотен Вт/см2, потери на кристаллах скоростных микроконтроллеров оказываются не намного меньше. Стремление к снижению габаритов и увеличению плотности мощности преобразовательных устройств неизбежно создает серьезные проблемы, связанные с отводом тепла. Достижения технологий IGBT последних лет привели к появлению кристаллов с предельно высокими значениями плотности тока, диапазон их рабочих температур расширен до 175 и даже 200 °С. В результате этого все более возрастает значение теплового перехода «корпус–радиатор–окружающая среда», а характеристики системы охлаждения становятся решающими при проектировании конструкции преобразователя.
№1
2014
Игорь Васильев
Силовые МОП-­транзисторы на 4500 В
IXYS Corporation, производитель силовых полупроводниковых приборов и интегральных схем для повышения энергоэффективности, управления питанием и электродвигателями, анонсировала начало выпуска линейки самых высоковольтных в отрасли силовых транзисторов MOSFET, полностью соответствующих международным стандартам, — N­канальных МОП­-транзисторов на 4500 В в стандартных корпусах.
№10
2013
Владислав Филатов, Юрий Горбылев
Модули SEMITOP от SEMIKRON для инверторов малой мощности
Компания SEMIKRON известна в первую очередь благодаря своим разработкам в области силовой электроники. Однако фирма производит линейку модулей для маломощных применений. Отличные тепловые характеристики, высокая надежность и простота монтажа — основные преимущества семейства SEMITOP, представленного на рынке в конце 90-х. В настоящее время модули SEMITOP подтверждают, что они являются лучшим решением для всех применений, где предъявляются жесткие требования к надежности, производительности, интеграции и цене.
№10
2013
Арендт Винтрич (Arendt Wintrich), Ульрих Николаи (Ulrich Nicolai), Вернер Турски (Werner Tursky), Тобиас Райманн (Tobias Reimann); Перевод и комментарии: Андрей Колпаков, Евгений Карташов
Проблемы параллельного и последовательного соединения IGBT. Часть 2. Последовательное включение IGBT
№10
2013
Марк Томас (Mark Thomas)
TRENCHSTOP 5 — новая технология быстродействующих IGBT
IGBT­-транзисторы, как известно, имеют протяженный «хвост» тока (tail current) и используются главным образом в низкочастотных приводах. IGBT для работы на частоте до 30 кГц назывались быстрыми, и в них ради снижения коммутационных потерь завышался уровень статических потерь. В 2008 году компания Infineon представила революционную технологию IGBT-транзисторов HighSpeed3, обладающих наивысшей эффективностью и работающих на частоте коммутации до 100 кГц с коммутационными характеристиками, близкими к MOSFET­ключам. Сегодня компания Infineon предлагает технологию TRENCHSTOP 5, которая обеспечивает частоту переключения, заметно превышающую 100 кГц.
№10
2013
Юрий Гаман
Применение цифровых сигнальных контроллеров dsPIC33E в силовой электронике
В статье описаны функциональные возможности цифровых сигнальных контроллеров серии dsPIC33E компании Microchip Technology в области силовой электроники.
№9
2013
Арендт Винтрич (Arendt Wintrich), Ульрих Николаи (Ulrich Nicolai), Вернер Турски (Werner Tursky), Тобиас Райманн (Tobias Reimann), перевод и комментарии: Андрей Колпаков, Евгений Карташов
Проблемы параллельного и последовательного соединения IGBT. Часть 1. Параллельная работа IGBT
Статья посвящена проблеме увеличения мощности преобразования за счет параллельного и последовательного соединения силовых ключей и инверторных ячеек. Параллельная работа подобных элементов хорошо изучена и широко применяется на всех уровнях: от «микроскопического» (соединение элементарных ячеек в структуре IGBT) до «макроскопического» (соединение чипов в составе силового модуля и силовых ключей в преобразователях высокой мощности). Более сложной проблемой является обеспечение надежной работы мощных ключей при их последовательном соединении. Этот вопрос будет рассмотрен во второй части статьи.
№9
2013
Арендт Винтрич (Arendt Wintrich), Ульрих Николаи (Ulrich Nicolai), Вернер Турски (Werner Tursky), Тобиас Райманн (Tobias Reimann), перевод и комментарии: Андрей Колпаков
Диоды и тиристоры — это очень просто! Часть 4. Структура и принцип работы
Знание принципов работы полупроводниковых приборов необходимо специалистам, занимающимся проектированием преобразовательной техники. Мы продолжаем рассмотрение базовых вопросов, связанных со структурой диодов и тиристоров и их электрическими характеристиками.
№8
2013
Арендт Винтрич (Arendt Wintrich), Ульрих Николаи (Ulrich Nicolai), Вернер Турски (Werner Tursky), Тобиас Райманн (Tobias Reimann), перевод и комментарии: Евгений Карташев, Андрей Колпаков
IGBT или MOSFET? О выборе и не только…
Нет в силовой электронике элементов, развивающихся столь же быстро и имеющих так много схожих черт, как IGBT и MOSFET. Несмотря на известные преимущества и недостатки каждого из них, выбор силового модуля для конкретного применения не всегда является очевидным. В первую очередь это относится к области напряжений свыше 200–300 В, когда достоинства полевых ключей перестают быть однозначными. Ошибка в выборе приводит к тому, что готовое устройство не может полностью реализовать свои возможности, рассеивает слишком большую мощность и, в конечном итоге, является неконкурентоспособным. Этот вопрос уже неоднократно поднимался в многочисленных публикациях, однако его актуальность не снижается, что связано, в частности, с появлением новых полупроводниковых материалов.
№7
2013
Игорь Васильев
Применение мощных полевых МОП­-транзисторов с N-­каналом в синхронных преобразователях постоянного тока
Тенденции развития современной силовой электроники требуют разработки изделий минимальных размеров с небольшим весом силовой части. Следовательно, индуктивности и конденсаторы необходимы также минимальных размеров. В то же время небольшие фильтры, переключающие полупроводниковые приборы, должны иметь малые потери переключения. Площадь радиатора также уменьшается, а для безопасной работы с небольшими радиаторами переключение полупроводников должно происходить с малыми потерями проводимости. Для решения данных задач IXYS предлагают Trench MOSFET (Trench2™), которые имеют небольшой заряд затвора и низкое сопротивление.
№7
2013
Андрей Колпаков
SKYPER 42LJ — новый драйвер цифрового семейства SEMIKRON
Устройство управления изолированными затворами IGBT является одним из самых ответственных узлов силовой секции преобразователя, в значительной степени определяющим надежность и эффективность работы всей системы. Стремясь к максимальной унификации схемы и конструкции, многие ведущие производители драйверов пришли к идее универсального «ядра», предназначенного для решения широкого круга задач.
№6
2013
Мартин Шульц (Martin Schulz)
Увеличение точности в слое теплового интерфейса
Из­за чрезвычайной важности теплового интерфейса этот аспект создания устройств силовой электроники заслуживает особого внимания.
№6
2013
Михаил Голубцов, Кирилл Автушенко
Семейство MOSFET с ультранизким Rds(on) в корпусе TO­247 компании International Rectifier
Непрерывно развивая свои изделия и улучшая их характеристики, компания International Rectifier является лидером в секторе силовых полупроводниковых приборов. Новая линейка силовых N-­канальных MOSFET­-транзисторов с рекордно низким сопротивлением открытого канала — прямое тому подтверждение.
№6
2013
Стефан Шулер (Stefan Schuler), Андре Мюллер (Andre Muller), перевод и комментарии: Андрей Колпаков
Малоизвестные факты из жизни IGBT и FWD. Часть 3. Прямое восстановление и реверсивный режим работы IGBT
Повышение скорости коммутации и снижение уровня динамических потерь является одной из основных задач проектировщиков элементной базы и преобразовательных устройств. Однако проблемы, связанные с ростом уровней di/dt, намного сложнее, чем кажется на первый взгляд. Процесс переключения тока нагрузки между IGBT и оппозитным диодом (FWD) сопровождается различными вторичными эффектами. К ним относится прямое и обратное восстановление, генерация электромагнитных шумов, переход транзистора в реверсивный режим. Для уменьшения их негативного влияния электрические характеристики IGBT и диода должны быть очень хорошо согласованы.
№5
2013
Игорь Васильев
Конденсаторы для силовой электроники
IXYS UK предлагает широкий диапазон конденсаторов для силовой электроники, способный удовлетворить почти любое приложение для фильтрации и сглаживания напряжения постоянного тока, коммутации, GTO/IGBT снабберов, приложений средней частоты, индукционного нагрева и т. д. В данной статье приведены краткие сведения о всех типах конденсаторов, предлагаемых корпорацией IXYS.
№4
2013
Александр Савельев
Свойства пленочных конденсаторов DUCATI Energia
Многим известна итальянская фирма DUCATI, давно и успешно производящая современные мотоциклы. Однако не многие знают компанию DUCATI Energia, изготавливающую современные пленочные конденсаторы, используемые в силовой электронике. В обзоре приведены сведения о технологии производства полипропиленовых конденсаторов, их основные технические параметры, номенклатура и области применения.
№4
2013
Арент Винтрих (Arendt Wintrich), Ульрих Николаи (Ulrich Nicolai), Вернер Турски (Werner Tursky), Тобиас Райманн (Tobias Reimann), перевод и комментарии: Андрей Колпаков
Малоизвестные факты из жизни IGBT и диодов. Часть 2. IGBT
№4
2013
Арент Винтрих (Arendt Wintrich), Ульрих Николаи (Ulrich Nicolai), Вернер Турски (Werner Tursky), Тобиас Райманн (Tobias Reimann), перевод и комментарии: Андрей Колпаков
Малоизвестные факты из жизни IGBT и FWD. Часть 1. Особенности FWD
Случилось так, что бурное развитие силовой электроники на Западе, вызванное появлением новых технологий силовых ключей, совпало с социальным и экономическим кризисом в нашей стране. Многие специалисты, вынужденные искать средства к существованию, меняли сферу деятельности и быстро теряли квалификацию, в результате чего Россия испытывает теперь острый дефицит кадров. Если с программистами, которых достаточно хорошо можно подготовить в Вузе, у нас все более­менее нормально, то специалисты по силовой электронике стали буквально на вес золота. Проектирование мощных конвертеров, особенно на основе современных скоростных электронных ключей IGBT и MOSFET, является очень тонким делом, для освоения которого нужны не только хорошие знания, но и многолетний опыт работы, владение современными методами проектирования и даже немалая интуиция.
За последние годы ситуация заметно изменилась к лучшему: появилось много хороших книг и статей, и, что самое радостное, подрастает новое поколение инженеров. В России есть компании, способные производить силовые преобразовательные устройства, ни в чем не уступающие лучшим западным образцам. К сожалению, прежде всего это относится к нефтегазовой отрасли, где по понятным причинам концентрируются лучшие специалисты.
Авторы предлагаемой статьи постарались отразить некоторые важные, но малоизвестные особенности работы современных силовых ключей.
№3
2013
Єжи Голашевський (Jerzy Gołaszewski)
MOSFET vs IGBT — свідомий вибір
До 70­х років XX сторіччя в застосуваннях елементів великої потужності неподільно панували біполярні транзистори (BJT). Не див­лячись на велику кількість їх недоліків, таких як уп­рав­ління струмом (значний постійний струм бази, потрібний для підтримки їх у відкритому стані) або довгий час від­клю­чення, вони застосовуються і до теперішнього часу (головним чином через низьку ціну). Однак, в більшості сучасних систем, з робочими частотами, що перевищують 10 кГц, переважно застосовуються транзистори MOSFET (польовий транзистор з ізольованим затвором) або IGBT (біполярний транзистор з ізольованим затвором).
№3
2013
Александр Савельев
Резисторы для силовой электроники Danotherm
Мощные резисторы для различных применений в изделиях силовой электроники выпускаются рядом фирм, среди которых одно из ведущих мест занимает датская компания Danotherm. С начала XX в. фирма производит высококачественные надежные резистивные компоненты и системы для различных отраслей промышленности.
В данной статье речь пойдет о не совсем обычных тормозных резисторах TERA, нашедших применение в силовых приводах с тяжелыми условиями эксплуатации.
№3
2013
Андрей Колпаков
Охлаждение силовых модулей: проблемы и решения. Часть 2
№2
2013
Андрей Колпаков
Охлаждение силовых модулей: проблемы и решения. Часть 1
Удельное значение мощности потерь, рассеиваемой в современных силовых модулях, достигает сотен Вт/см2, потери на кристаллах скоростных микроконтроллеров оказываются не намного меньше. Стремление к снижению габаритов и увеличению плотности мощности преобразовательных устройств неизбежно создает серьезные проблемы, связанные с отводом тепла. Достижения технологии IGBT последних лет привели к появлению кристаллов с предельно высокими значениями плотности тока, диапазон их рабочих температур расширен до +175 °С и даже +200 °С. В результате этого все более возрастает значение теплового перехода «корпус — радиатор —
окружающая среда», а характеристики системы охлаждения становятся решающими при проектировании конструкции преобразователя.
Физические ограничения для систем отвода тепла определяются значением максимальной рассеиваемой мощности на единицу контактной площади, температурой внешней среды и габаритными размерами. В рамках данной статьи мы рассмотрим, прежде всего, воздушные и жидкостные системы охлаждения силовых модулей, поскольку они используется в 95 % случаев. Однако для полноты картины будут описаны и другие, более экзотические методы.
№1
2013
Клаус Вогель (Klaus Vogel)
Повышение плотности мощности инверторов на базе IGBT-модулей
Повышение плотности мощности — ключевой аспект разработки инверторных систем для силовой электроники. За последние 22 года плотность тока на уровне кристалла IGBT повысилась в три раза. Прогресс в технологии IGBT, а также применение новых материалов, таких как карбид кремния и нитрид галлия, позволят в ближайшем будущем повысить плотность тока на единицу площади за счет улучшения коммутационных свойств и повышения максимальной рабочей температуры TVJ_max. Благодаря этому более значимым параметром станет индуктивность системы, которая может ограничивать максимальный коммутируемый ток.
№1
2013
Андрей Гладских, Андрей Колпаков
Поддельные силовые модули Semikron
В условиях жесткой конкуренции производителям электронного оборудования очень трудно завоевать популярность и зарекомендовать себя как надежного и качественного поставщика. И очень легко потерять репутацию из-за отказов выпускаемого оборудования ввиду  использования в изделии поддельных электронных компонентов. Как не попасть на крючок к пронырливым дельцам и какие элементарные правила необходимо соблюдать при покупке электронных компонентов мы и рассмотрим в данной статье.
№9
2012
Максим Соломатин
Преимущества новых ультрабыстрых 1200 В IGBT от International Rectifier
В условиях жесткой конкуренции производителям электронного оборудования очень трудно завоевать популярность и зарекомендовать себя как надежного и качественного поставщика. И очень легко потерять репутацию из-за отказов выпускаемого оборудования ввиду  использования в изделии поддельных электронных компонентов. Как не попасть на крючок к пронырливым дельцам и какие элементарные правила необходимо соблюдать при покупке электронных компонентов мы и рассмотрим в данной статье.
№9
2012
Владимир Веревкин, Андрей Санчугов, Анатолий Солодовник, Владимир Гутин
Исследования поддельных силовых полупроводниковых приборов в ООО «Элемент-Преобразователь»
В статье речь идет о фальсифицированных силовых полупроводниковых приборах. Приведены краткие результаты исследований фальсификатов в лаборатории ООО «Элемент-Преобразователь».
№9
2012
Арендт Винтрич (Arendt Wintrich), Ульрих Николаи (Ulrich Nicolai), Вернер Турски (Werner Tursky), Тобиас Райманн (Tobias Reimann), Перевод, предисловие и комментарии: Андрей Колпаков
Диоды и тиристоры — это очень просто. Часть 3. Защита выпрямителей
№8
2012
Максим Соломатин
Фотоэлектрические изоляторы серии PVI компании IR
International Rectifier является одним из лидеров в области силовой электроники. Полупроводниковые компоненты фирмы стали в этом сегменте стандартом де-факто и широко используются производителями конечной продукции для самых разнообразных применений. Наиболее интересными для российского рынка являются системы управления питанием (Power Management Devices, PMD), для которых предлагаются мощные MOSFET и системы на основе энергосберегающих технологий (EnergySaving Products, ESP). Одна из неотъемлемых частей схемы силового устройства — гальваническая развязка управляющих сигналов и сигналов состояния отдельных силовых узлов, работающих с большими токами или напряжениями от управляющей части, ответственной за логику работы.
№8
2012
Виталий Шевченко
Компоненты Cree Power на основе карбида кремния
Сегодня карбид-кремниевая (SiC) технология является коммерческим продуктом.
Свойства карбида кремния превосходят свойства кремния (Si) при использовании в полупроводниках с максимально допустимым рабочим напряжением 600 В и выше. Ключевое отличие SiC от кремния заключается в том, что ширина запрещенной зоны первого много больше, следствием чего является 10-кратное увеличение напряжения пробоя, а значит, и максимально допустимого напряжения SiC¬приборов при прочих равных условиях: геометрических параметрах, легировании и т. д.
№7
2012
Арендт Винтрич (Arendt Wintrich), Ульрих Николаи (Ulrich Nicolai), Вернер Турски (Werner Tursky), Тобиас Райманн (Tobias Reimann), Перевод, предисловие и комментарии: Андрей Колпаков
Диоды и тиристоры — это очень просто. Часть 2. Тепловые характеристики. Вопросы управления и защиты
№7
2012
Игорь Васильев
Двойные тиристорные модули IXYS
Наиболее высокие требования в силовой электронике предъявляются к надежности оборудования и его энергетической эффективности. В связи с этим в последнее время все более популярными становятся силовые модули. В данной статье рассмотрены основные типы двойных тиристорных модулей производства корпорации IXYS.
№7
2012
М.-А. Кучак (M.-A. Kutschak), В. Янчер (W. Jantscher), Д. Ципприк (D. Zipprick), А. Лудштек-Пехлов (A. Ludsteck-Pechloff)
Новые CoolMOS-устройства от Infineon задают новые стандарты
Новая технология CoolMOS 650V CFD2 задает новые стандарты характеристик высоковольтных мощных полевых МОП-транзисторов с быстродействующим паразитным диодом. Эти устройства сочетают в себе высокое запирающее напряжение (650 В), рекордно низкое Rdson и малые емкостные потери, а также повышенную коммутационную прочность паразитного диода на этапе обратного восстановления, особенно в схемах с жесткой и мягкой коммутацией. Кроме того, в паспорт данных компонентов вводятся новые номинальные характеристики — максимальные значения Qrr и trr. В настоящей статье рассматриваются факторы, влияющие на повышение коммутационной прочности паразитного диода. В частности, демонстрируются преимущества нового устройства на суперпереходах с быстродействующим паразитным диодом в случае полумостовой топологии HID.
№7
2012
Александр Калачев
Низкое и высокое напряжение на одном кристалле: высоковольтные ИС компании IR
Возможно ли с помощью одной микросхемы управлять, скажем, как высоковольтным полумостовым выпрямителем, так и низковольтным корректором коэффициента мощности? Да, если это высоковольтная микросхема IRS2168D компании International Rectifier. В статье рассказано о конкретных применениях HVIC от IR.
№7
2012
Арендт Винтрич (Arendt Wintrich), Ульрих Николаи (Ulrich Nicolai), Вернер Турски (Werner Tursky), Тобиас Райманн (Tobias Reimann), Перевод, предисловие и комментарии: Андрей Колпаков
Диоды и тиристоры — это очень просто. Часть 2. Тепловые характеристики. Вопросы управления и защиты
№6
2012
Кирилл Автушенко
Седьмое поколение IGBT от IR: снизим потери при переключении
Выбор IGBT, являющегося популярным решением для инверторов тока и сварочного оборудования, — это всегда поиск компромисса между уменьшением потерь проводимости и улучшением частотных характеристик. Компания International Rectifier (IR) предлагает новое (седьмое — G7/Gen7) поколение IGBT, обладающих отличными частотными характеристиками при обеспечении низких потерь проводимости. Области применения новых изделий: корректоры коэффициента мощности, инверторы, драйверы моторов и сварочные аппараты.
№5
2012
Андрей Влащук
Сила, «спрятанная в капсулу». Диоды, тиристоры и IGBT-транзисторы от Westcode
В период развития электроэнергетики, а также альтернативных источников энергии, все чаще возникает вопрос — как управлять их мощностью? Для этого различными компаниями разработаны силовые полупроводниковые элементы (ПЭ). Одним из лидеров в этой области является британская компания Westcode. Она была основана в 1920 году, а с 2001 — входит в корпорацию IXYS.
№5
2012
Александр Калачев
С низким стартовым током: корректоры коэффициента мощности от компании STM
На основе универсальных ККМ-контроллеров серий L6562A/L6563S/L6563H/L6564 можно строить источники питания любого диапазона мощности — от маломощных (менее 100 Вт) до оперирующих киловаттами. При этом величина их стартового тока по сравнению с конкурентами в среднем меньше на 30...50 %.
№4
2012
Кирилл Иванов
Как разработчику заставить работать новые MOSFETS
В практике разработчика электроники встречаются ситуации, когда новое изделие, призванное заменить в схеме старое, не работает или работает в нежелательном режиме. Почему это происходит, и как избежать этого в отношении транзисторов MOSFET (на примере изделий International Rectifier) рассказывает данная статья.
№4
2012
Петер Бекедаль (Peter Beckedahl) Перевод и комментарии: Андрей Колпаков
Силовые модули завтрашнего дня: без проводников, паяных соединений и теплопроводящей пасты
Необходимость совершенствования технологий корпусирования силовых модулей вызвана постоянно растущими требованиями увеличения плотности мощности, повышения надежности и снижения стоимости. Технологические возможности традиционных методов пайки и ультразвуковой сварки достигли своих пределов, их применение не позволяет полностью реализовать возможности новейших кристаллов с расширенным температурным диапазоном.
Теперь мы можем с уверенностью сказать, что решение указанных проблем найдено. Внедрение процесса низкотемпературного спекания серебряного порошка уже позволило полностью отказаться от пайки. На сегодня в силовой электронике осталось только одно «узкое место», от преодоления которого зависит ее дальнейшее развитие: ультразвуковая сварка проводниковых выводов кристаллов. Разработанная компанией SEMIKRON технология SKiN дает возможность осуществлять все промежуточные связи в силовом модуле с помощью гибких пленок.
№4
2012
Андрей Влащук
IXYS — обзор направлений. Силовые полупроводниковые компоненты массового применения
Мировой рынок силовой электроники представлен большим количеством производителей полупроводниковых элементов. Продукция некоторых компаний ориентирована на недорогие компоненты, которые массово используются в простых устройствах, не требующих высокого качества. Но производство надежных силовых устройств для различных областей применения должно быть обеспечено наилучшими в своем классе компонентами. В таких приложениях широко используются полупроводниковые элементы корпорации IXYS. Именно ее продукция является образцом высокотехнологичности, надежности, современности и качества при сравнительно невысокой цене.
№3
2012
Андрей Влащук
IGBT модули компании IXYS — образец компактности и надежности в силовой электронике
Развитие рынка силовой электроники определяет большой  интерес производителей к разработкам на основе IGBT транзисторов. Общеизвестно, что использование в схемах быстродействующих транзисторов позволяет преобразовывать электроэнергию на высоких частотах, благодаря чему можно снизить общие потери в преобразователях и применить современные системы управления. Наиболее популярными и используемыми силовыми ключами стали IGBT модули, которые не только позволили снизить массу и габариты, но и дали возможность повысить надежность устройств.
№2
2012
Арендт Винтрич (Arendt Wintrich), Ульрих Николаи (Ulrich Nicolai), Вернер Турски (Werner Tursky), Тобиас Райманн (Tobias Reimann) Перевод, предисловие и комментарии: Андрей Колпаков
Диоды и тиристоры — это очень просто. Часть 1. Общие вопросы
Инженеры «со стажем», возможно, помнят замечательные книги Е. Айсберга, вышедшие в русском переводе в далеком 1967 г.: «Радио — это очень просто» и «Телевидение — это очень просто». Путь многих хороших специалистов в радиоэлектронике начинался именно с них.
Предлагаемая вашему вниманию статья является попыткой возродить хорошую традицию, однако мы не станем вести речь «ab ovo» и будем считать, что читатель имеет достаточный уровень инженерной подготовки. Тем не менее, опыт показывает, что проблемы в отношении выпрямителей возникают даже в совершенно очевидных ситуациях. Например, довольно часто нас спрашивают, почему у стандартных диодов не нормируется частотный диапазон и время обратного восстановления. Ответы на этот и многие другие вопросы можно найти в данном материале.
№2
2012
Анатолий Савельев, Ирина Олейник
Коррекция коэффициента мощности PFC. Расстроенные KKM-системы
В статье пойдет речь о положительном опыте фабрики по производству бумаги Dongying Huatai Paper Industry Co. LTD, который позволил предприятию решить две немаловажные проблемы: энергосбережение и сокращение выбросов CO2 с помощью эффективной работы конденсаторных установок, собранных на комплектующих компании Epcos AG.
№2
2012
Максим Соломатин
Новые MOSFET компании IR: широкие выводы, увеличенный ток
В этом году на рыке появилась новая серия MOSFET в корпусе Wide Lead, имеющем более широкие выводы у стока и истока. За счет этого сопротивление их выводов уменьшилось на 50 % по сравнению с TO-262, а максимальный ток транзистора увеличился до 240 А.
№2
2012
Юрий Петропавловский
Особенности и параметры силовых модулей на МОП-транзисторах компании IXYS
В статье рассмотрены номенклатура, параметры и конструктивные особенности современных силовых модулей на МОП-транзисторах компании IXYS.
№1
2012
Максим Плюснин
С самым большим набором функций: новые корректоры коэффициента мощности
Цель использования корректора коэффициента мощности — сделать так, чтобы вход источника питания со стороны сети «выглядел» чисто активным сопротивлением. Отличие корректоров коэффициента мощности (ККМ) IR115xS компании International Rectifier от изделий этого типа других производителей — упрощающий схемотехнику режим One Cycle Control, запатентованный IR.
№1
2012
Александр Лангенбуер (Alexander Langenbucher) Перевод и комментарии: Андрей Колпаков
Пополнение в семействе MiniSKiiP
Разработчикам всего мира хорошо известно семейство миниатюрных модулей MiniSKiiP, выпускаемых компанией SEMIKRON более 15 лет. Популярность данных компонентов обусловлена, прежде всего, их высокой надежностью и предельно простым способом монтажа. Кроме того, они обеспечивают наибольшую плотность тока для компонентов данного класса.
В последние годы семейство MiniSKiiP пополнилось интеллектуальными модулями привода MiniIPM [1] и силовыми ключами серии MLI, предназначенными для разработки высокоэффективных трехуровневых преобразователей [2].
Применение MiniIPM в приводной конфигурации CIB (Converter/Inverter/Brake — выпрямитель/инвертор/тормозной каскад) позволяет разработчикам при минимальных временных и аппаратных затратах проектировать миниатюрные приводы мощностью до 15 кВт. Компоненты серии MLI будут востребованы в преобразователях с низким уровнем искажений выходного сигнала, к которым относятся, например, источники бесперебойного питания (UPS).
№1
2012
Юрий Петропавловский
Современные полупроводниковые приборы на основе карбида кремния фирмы ROHM Semiconductor
Первым практическим применением карбида кремния (SiC) в области электротехники был светодиод Генри Раунда, созданный в 1907 г., однако коммерческие образцы различных полупроводниковых приборов на основе этого материала начали производиться только в последние 15–20 лет.
№9
2011
Дэвид Чиола (Davide Chiola), Холгер Хюскен (Holger Husken)
600/1200-вольтовые IGBT: новый стандарт производительности в устройствах с высокой скоростью переключения
Быстродействующие IGBT третьего поколения (H3), предлагаемые компанией Infineon Technologies для класса напряжений 600 и 1200 В, оптимизированы для высокоскоростного переключения в таких устройствах, как сварочные аппараты, источники бесперебойного питания, импульсные источники питания и преобразователи солнечной энергии. Новые приборы демонстрируют оптимальные динамические характеристики, плавное переключение и заметное снижение потерь. Они предоставляют разработчикам экономически эффективное решение, отвечающее современным жестким требованиям к энергоэффективности, и упрощают разработку систем, сокращая затраты на охлаждение и фильтрацию.
№9
2011
Андрей Колпаков, Андрей Гладских
Программа SEMISEL — тепловые расчеты силовых схем
Расчет тепловых режимов работы силового каскада является одним из важнейших этапов процесса разработки, позволяющим подтвердить правильность выбора и применения электронного компонента, что во многом определяет надежность работы устройства. В статье описаны основные особенности наиболее совершенной на сегодняшний день программы теплового расчета SEMISEL и в виде примера приведены расчеты трехфазного выпрямительного моста, чоппера и трехфазного инвертора.
№7
2011
Рейнхард Герцер (Reinhard Herzer), Маттиас Россберг (Matthias Roßberg), Бастиан Воглер (Bastian Vogler) Перевод и комментарии: Андрей Колпаков
Технологии интегральных драйверов IGBT для применений низкой и средней мощности
Интеллектуальные силовые модули (Intellectual Power Module, IPM) широко используются в приводах, источниках питания и многих других преобразовательных устройствах. Диапазон мощностей данных применений достаточно большой: от сотен ватт в миниатюрных приводах до мегаватт в ветроэнергетических установках.
№4
2011
Вадим Бардин, Дмитрий Борисов
Моделирование переходных процессов в сварочном инверторе переменного тока высокой частоты
В статье изложены результаты компьютерного моделирования электрических процессов в силовой части инверторного сварочного аппарата переменного тока высокой частоты, приведены электрическая схема и компьютерная модель сварочного инвертора.
№3
2011
Андрей Колпаков, Андрей Гладских
Особенности применения V-IGBT модулей
Использование новых типов кристаллов IGBT в стандартных конструктивах дает возможность увеличить техническую эффективность силовых преобразовательных устройств без изменения их конструкции, улучшить динамические характеристики и обеспечить рост надежности.
№2
2011
Сергей Петров
Об использовании двухтактного преобразователя с дросселем переменного тока в качестве сварочного инвертора
В статье обсуждаются возможность и целесообразность использования двухтактного конвертера с дросселем переменного тока в качестве силовой части сварочного инвертора. Энергетические параметры такого преобразователя сравниваются с параметрами однотактного прямоходового мостового конвертера, часто применяемого в источниках сварочного тока инверторного типа.
№2
2011
Юрий Непочатов, Гуго Дейс, Александр Богаев, Александр Каширин, Александр Шкодкин
Разработка технологии изготовления металлизированных подложек для изделий силовой электроники
В статье дается описание существующих методов металлизации подложек для силовой электроники, альтернативой которым может быть метод холодного газодинамического напыления. Приведены результаты разработки технологии металлизации керамических подложек этим методом на оборудовании ДИМЕТ. Полученные данные параметров адгезии и проводимости позволяют сделать выводы о перспективности этого метода металлизации.
№2
2011
Дитер Эсау (Dieter Esau), Микаэла Штрубе (Michaela Strube), Андрей Колпаков
Теплопроводящая паста — это действительно важно!
Основной тенденцией современной силовой электроники является увеличение плотности мощности и расширение температурного диапазона компонентов при одновременном повышении их надежности. Решение этих противоречивых проблем невозможно без внедрения новых технологий производства и монтажа полупроводниковых чипов, использования высокотемпературных материалов корпуса, повышения эффективности охлаждения. Сложность последнего вопроса обусловлена, в частности, необходимостью передачи тепла через неоднородные сопрягаемые поверхности радиатора и силового модуля.
№10
2010
Андрей Колпаков, Андрей Гладских
Контроль тепловых режимов силовых модулей
Ярким свидетельством прогресса элементной базы силовой электроники является непрерывное увеличение степени интеграции интеллектуальных модулей (IPM–Intellectual Power Module). Современный IPM представляет собой сложное устройство, объединяющее на одном кристалле или в одном корпусе мощный каскад, драйвер, устройство защиты. Использование IPM при правильном выборе алгоритма управления позволяет ограничивать электрические режимы силового ключа в рамках, определяемых областью безопасной работы (в англоязычной литературе SOA — Safe Operating Area).
№9
2010
Сергей Петров
Практика применения в сварочных инверторах драйверов мощных МОП- и IGBT-транзисторов
В статье рассматривается практическая схемотехника драйверов мощных МОП¬ и IGBT¬транзисторов на примерах промышленных изделий — сварочных инверторов различных производителей. Обсуждаются сравнительные достоинства и недостатки различных типов драйверов.
№9
2010
Эхкхард Бранд, Гернот Финис, Ральф Наузманн
Приборы для защиты от перенапряжения информационных и телекоммуникационных сетей
Для безопасной и надежной передачи данных в информационных и телекоммуникационных сетях все компоненты этих сетей должны обеспечивать высокую скорость передачи. В равной мере это относится также и к приборам для защиты от перенапряжения. Что в этом случае характеризует надежную защиту от перенапряжения? Надежный отвод импульсных токов, уровень защиты или ширина полосы частот передачи? В настоящих условиях для обеспечения «чистоты» передачи данных необходимо также исключение электрических помех в кабелях информационных систем или систем электронной обработки данных, а также в кабелях телекоммуникационных систем. Почему возникают такого рода помехи и каким образом их можно избежать? На эти вопросы мы и попробуем ответить в этой статье.
№8
2010
Андрей Колпаков, Андрей Гладских
Модули SEMITOP как альтернатива дискретным корпусам ТО
В производственной программе SEMIKRON маломощные модули SEMITOP являются самыми малогабаритными. Они рассматриваются как альтернатива дискретным транзисторам в корпусах ТО — наиболее популярным компонентам для разработки и производства преобразователей мощностью до 3–5 кВт. Модули SEMITOP выпускаются по уникальной прижимной технологии SKiiP, разработанной SEMIKRON и позволяющей обеспечить хорошие тепловые характеристики и высокие показатели надежности.
№7
2010
Виталий Шевченко
Обзор трехфазных драйверов пятого поколения компании International Rectifier
Компания International Rectifier известна всем разработчикам как производитель силовых транзисторов и интегральных микросхем управления. Выпускаемые IR драйверы предназначены для работы в любых конфигурациях силовых каскадов в диапазоне мощности до 3–5 кВт. Технология производства микросхем управления HVIC нового поколения вобрала в себя все достижения высоковольтных технологий, сделанных ранее. В статье будут рассмотрены номенклатура и преимущества нового поколения драйверов.
№3
2010
Ральф Херманн (Ralf Herrmann), Андрей Колпаков
SKiiP 4 — новая серия IPM для применений высокой мощности
В последние годы на рынке промышленной силовой электроники все более востребованными становятся надежные и компактные компоненты, имеющие высокую плотность мощности и конкурентоспособную цену. Для таких применений, как преобразователи энергетических станций (ветряных, солнечных, гидро­), тяговых приводов трамваев, троллейбусов и электропоездов в особенности нужны силовые ключи, отличающиеся функциональной насыщенностью и высоким уровнем надежности.
На ежегодной выставке PCIM, прошедшей в Нюрнберге в мае 2009 года, компания SEMIKRON представила 4-е поколение SKiiP. Впервые в мире в интеллектуальных модулях (IPM) IGBT была использована технология низкотемпературного спекания чипов и реализован принцип цифровой передачи данных.
№2
2010
Юрий Петропавловский
Современные микросхемы управления двигателями постоянного тока фирм ROHM и Toshiba
В статье рассмотрены особенности выбора микросхем электропривода двигателей постоянного тока. Приведены параметры и характеристики микросхем электропривода двигателей фирм ROHM и Toshiba.
№2
2010
Владлен Кириленко
Универсальный высоковольтный LED-драйвер IL9910
После того, как светодиоды большой яркости стали массовым и доступным продуктом, естественным стал и вопрос о максимальном использовании возможностей этих приборов при создании средств визуального отображения информации. Описываемый ниже драйвер, освоенный в серию минским НПО «Интеграл», позволяет эффективно решить эту задачу, будучи использованным в качестве DC/DC или AC/DC LED-драйвера; LED-драйвера для подсветки светодиодных RGB панелей; в устройствах с подсветкой ЖК-панелей; источника постоянного напряжения с током нагрузки до 1 мА; устройствах декоративной светодиодной иллюминации.
№2
2010
Arendt Wintrich (Арендт Винтрих), Андрей Колпаков
Trench 4 — универсальная технология IGBT. Стратегия перехода
Использование новых типов кристаллов IGBT в стандартных конструктивах дает возможность увеличить техническую эффективность и мощностные характеристики силовых преобразовательных устройств без изменения их конструкции. Основной задачей, поставленной при разработке 4-го поколения Trench IGBT, стало комплексное улучшение параметров проводимости, динамических характеристик и обеспечение более плавного характера переключения. Статья посвящена особенностям применения данных элементов, особое внимание уделено вопросам, связанным с заменой силовых ключей предыдущих серий на компоненты нового поколения.
№6
2009
Маркус Хермвиль, Андрей Колпаков
SKYPER 52 — первый сверхмощный цифровой драйвер IGBT от компании SEMIKRON
Для работы любого преобразователя, созданного с применением IGBT модулей, необходимо устройство, осуществляющее передачу управляющих сигналов от контроллера к затворам силовых ключей. С ростом мощностей эта задача становится все более сложной, для ее решения необходимо увеличивать нагрузочную способность драйверов, повышать их помехозащищенность и стойкость к наведенным фронтам напряжения. Кроме этого, современное устройство управления должно выполнять целый набор защитных и сервисных функций.
Основной целью разработки полностью цифрового драйвера SKYPER 52 стало обеспечение высококачественной передачи изолированных контрольных сигналов в системах средней и большой мощности. В предлагаемой статье описаны основные характеристики нового устройства управления и обсуждены преимущества цифрового способа передачи данных.
№5
2009
Андрей Колпаков
Цифровая передача данных в драйверах IGBT
Для управления преобразовательными системами повышенной мощности, использующими модули IGBT с рабочим напряжением 1200 В и выше, требуется изолированная передача импульсов управления и статусных сигналов. Эта задача возлагается на драйвер, являющийся одним из наиболее ответственных узлов современных конверторов. Последняя разработка SEMIKRON — мощная схема управления затворами SKYPER 52 — осуществляет передачу управляющих импульсов и сигналов датчиков, используя принцип цифровой изолированной трансляции данных. Благодаря этому качество передачи, осуществляемой по дифференциальному каналу, не зависит от параметров элементов схемы и рабочей температуры.
№4
2009
Сергей Петров
Перспективная схемотехника сварочных инверторов
В статье представлен обзор публикаций, посвященных разработке силовой части мощных ключевых преобразователей, которые применяются для построения сварочных инверторов.
№3
2009
Владлен Кириленко
Новые восьмиканальные токовые драйверы НПО «Интеграл»
Задача коммутации исполнительных устройств различного характера под воздействием логических сигналов микропроцессорных устройств имеет много вариантов решения. Например, ее можно решить, применяя интегральные токовые драйверы, не так давно освоенные в серийном производстве НПО «Интеграл», г. Минск, с которыми вас знакомит эта статья.
№2
2009
Алексей Панфёров
MOSFET в параллельном включении
В этой статье рассматриваются преимущества и недостатки параллельного включения MOSFET транзисторов в ключевых и аналоговых применениях. Тема развернута так, чтобы показать основные принципы включения транзисторов в параллель.
№2
2009
Владимир Башкиров
IRAMxx — интеллектуальные силовые IGBT-модули для электропривода широкого применения
Интеллектуальные силовые модули IRAMxx компании International Rectifier предназначены для использования в массовом промышленном электроприводе и приводе бытовой техники мощностью до нескольких киловатт. Эти устройства особенно популярны при производстве привода небольшой мощности. А выгодное соотношение эффективность/цена делает их весьма привлекательными для разработчиков.
№2
2009
Андрей Колпаков
Новые технологии для стандартных тиристорных модулей
Современный рынок силовой электроники предъявляет все более высокие требования к надежности компонентов. Эта тенденция заставляет производителей силовых модулей постоянно внедрять новые технологии и модернизировать существующие производственные процессы. Сказанное справедливо даже в отношении стандартных продуктов, к которым относятся хорошо известные изолированные диоднотиристорные модули. В 2008 году SEMIKRON полностью изменил подход к проектированию данных компонентов, конструкция которых была разработана именно этой компанией более 30 лет назад. В новом конструктиве сокращено количество паяных слоев, применены усовершенствованные чипы с угловым рас положением затвора, внедрены пружинные сигнальные соединения [1]. Принятые меры позволили существенно снизить тепловое сопротивление, увеличить допустимую токовую нагрузку и повысить надежность.
№2
2009
Анатолий Савельев
Дроссели для фильтрации гармоник. Экономить на них или нет?
Многие сталкивались с проблемой, когда необходимо выбирать: стоит ли комплектовать ступени установки компенсации реактивной мощности (УКРМ) дросселями в случае, если имеются проблемы с качеством электроэнергии (искажения синусоидальности кривой тока и напряжения). Как понять выгоду от этого, ведь на первый взгляд установка дросселя ощутимо увеличивает стоимость такого решения? Ответ на данный вопрос и предлагается в этой статье.
№2
2009
Александр Ситников
Тиристорное устройство плавного пуска асинхронного электродвигателя
Рассматриваемая в статье схема позволяет осуществить безударный пуск и торможение электродвигателя, увеличить срок службы оборудования и снизить нагрузку на электросеть. Плавный пуск достигается путем регулирования напряжения на обмотках двигателя силовыми тиристорами.
№2
2009
Дмитрий Клименков
Применение модульных DC/DC конверторов Vicor в железнодорожном транспорте
Рассматривается возможность применения модульных DC/DC преобразователей компании Vicor, удовлетворяющих требованиям европейских стандартов в комплексных системах железнодорожного транспорта.
№2
2009
Сергей Петров
Перспективная схемотехника сварочных инверторов
В статье представлен обзор публикаций, посвященных разработке силовой части мощных ключевых преобразователей, которые применяются для построения сварочных инверторов.
№2
2009

Силовые компоненты: производители и применения
В обзоре приводятся данные о типах силовых полупроводников, применяемых при производстве силовых приводов, областях применения приводов и основных изготовителях силовой электроники.
№2
2009
Александр Стратиенко, Виталий Шевченко
Интегральные схемы компании International Rectifier для управления яркостью люминесцентной лампы
В статье рассматриваются инновационные решения компании International Rectifier (IR) для реализации электронных пускорегулирующих аппаратов (ЭПРА) с регулированием яркости для люминесцентных ламп. Спрос на ЭПРА с управляемой яркостью свечения люминесцентной лампы достаточно большой. Это связано не только с популярностью декоративного освещения, но и с проблемой энергосбережения. Пользователи сегодня все чаще хотят иметь балласты  с регулируемой мощностью. IR на сегодня является признанным лидером в области решений для энергосберегающего освещения на люминесцентных лампах.
№1
2009

Новый контроллер управления электроприводом EPOS2 50/5
Компания Maxon motor (Швейцария) начала выпуск цифровых контроллеров нового поколения EPOS2 50/5, который является продолжением фирменной линейки блоков управления и предоставляет конструкторам и разработчикам новые возможности для решения практических задач.
№10
2008
Виталий Шевченко
Новое семейство транзисторов MOSFET компании International Rectifier
Динамично развивая направление разработок приборов для портативной электроники с лучшими на рынке характеристиками и надежностью, компания International Rectifier ставит себе цель утвердиться в качестве одного из основных поставщиков на этом секторе рынка электронных компонентов. В статье пойдет речь о новом поколении MOSFET транзисторов компании International Rectifier, появившихся на рынке.
№9
2008
Александр Довгий
Flashtrab compact — комплексная защита энергетических систем от импульсного перенапряжения
В статье рассмотрены особенности нового поколения уст­ройств — продукции серий Flashtrab compact и Valvetrab compact, которая обеспечивает надежную защиту электроники от импульсного перенапряжения.
№9
2008
Григорий Лазарев
Преобразователи для частотно-регулируемого электропривода
Около 65 % электроэнергии в промышленности, электроэнергетике, ЖКХ и других отраслях расходуется асинхронными электроприводами насосных и вентиляторных установок, работающих с постоянной частотой вращения. Применение электроприводов с регулируемой частотой вращения позволяет улучшить эффективность использования электроэнергии, повысить рентабельность и конкурентоспособности предприятия и улучшить экологическую обстановки. В статье рассматриваются особенности систем частотного регулирования высоковольтных асинхронных электродвигателей.
№9
2008
Андрей Колпаков, Сергей Полищук, Тарас Мысак
Программа теплового расчета SEMISEL 3.1 — новые возможности, новые перспективы
В статье детально рассматривается программа автоматизированного расчета и выбора компонентов SEMISEL от компании SEMIKRON.
№8
2008
Павел Вовк
Транзисторы MOSFET с обедненным каналом. Вопросы применения
Примерно с середины 70-х годов прошлого века перспективы, которые открывали МОП транзисторы, заставляли ученых работать не покладая рук. В результате широчайшее распространение приобрели МОП транзисторы с обогащенным затвором (MOSFET). Сегодня непросто найти устройство, в котором не использовались бы эти недорогие полупроводниковые приборы с прекрасными параметрами. Перечислять в статье все особенности этих транзисторов — дело неблагодарное, ограничимся лишь упоминанием таких важнейших преимуществ, как очень высокое входное сопротивление и четко выраженная зависимость выходного тока от напряжения на управляющем входе.
№7
2008
Виталий Шевченко
Расчет управляющего трансформатора транзисторного инвертора
В статье даны рекомендации по конструированию управляющего транзисторами трансформатора с примером расчета. Материалы статьи будут особенно полезны для разработчиков импульсных источников питания и сварочных инверторов.
№6
2008
Юрий Коваль
IGBT транзисторы IXYS
В статье идет речь о перспективных IGBT транзисторах корпорации IXYS в модульном и дискретном исполнениях, которые применяются в электроприводах, источниках питания, энергогенераторах и другом оборудовании.
№2
2008
Виктор Олейник
Применение мощных полевых транзисторов от STMicroelectronics в современном электроприводе и в системах питания
В статье приведены характеристики MOSFET (полевых) транзисторов такого ведущего производителя, как STMicroelectronics. Вначале хотелось бы познакомить читателей с обзором новых семейств MOSFET-транзисторов фирмы STMicroelectronics, без сомнения, если не лидирующей, то одной из фирм, обладающих наиболее передовыми разработками и технологиями в области силовой электроники. Большую часть механической энергии в промышленности, быту и других областях мы получаем путем преобразования электрической энергии с помощью электропривода. От качества электропривода во многом зависят как возможности реализации эффективных технологий, так и затраты энергии в самых разных сферах деятельности. Одним из важнейших вопросов, которые должен решить разработчик, является выбор элементной базы преобразователя энергии. Полевые транзисторы от STMicroelectronics являются оптимальным решением для реализации этих задач.
№2
2008
Виталий Шевченко
ШИМ-контроллеры компании International Rectifier
За последнее десятилетие мы видим ускоренный темп развития электронных устройств. Вместе с ним растут и требования к устройству питания. Линейные регуляторы напряжения имеют низкий КПД и не всегда могут обеспечить требования, предъявляемые к устройству. Схемы с синхронным выпрямителем сегодня получили большое распространение. Номенклатура ИС, выпускаемых различными производителями, очень велика. В данной статье пойдет речь об особенностях использования синхронного ключа в синхронном выпрямителе и будет рассмотренно несколько видов ШИМ-контроллеров компании International Rectifier.
№2
2008
Артем Козлов
FAN7710 — простая работа с компактной флуоресцентной лампой
Довольно часто прибыль от замены ламп накаливания флуоресцентными лампами на 30 % превышает затраченные на это средства. Использование ламп дневного света обеспечивает полноценное естественное освещение при максимальной экономии электроэнергии. Энергосберегающие лампы работают от 5 до 13 раз дольше, чем традиционные лампы накаливания, не создают никаких неудобств и сокращают расходы.
№2
2008
Люсио Ди Джасио
Силовая электроника в люминесцентных лампах
Сегодня все чаще и чаще магнитная балластная нагрузка (дроссель) в лампах дневного света заменяется электронными схемами для увеличения общей эффективности и повышения производительности при одновременном снижении веса и объема. Основной причиной замены 50-, 60-герцовых трансформаторов или магнитных дросселей является экономия энергии. В зависимости от применения возврат инвестиций при замене дросселя электронным эквивалентом может составлять от года и больше, поскольку электронная схема гораздо дороже. В то же время электронный балласт обеспечивает более высокую производительность и комфорт при меньшем весе и размерах, что является большим преимуществом в таких профессиональных приложениях, как освещение офисов и зданий.
№2
2008
Леонид Павлов
Интегральные микросхемы ШИМ-контроллера с обратной связью по напряжению и току
Разработка источников питания и преобразователей DC-DC осуществляется как на основе специализированных интегральных микросхем класса LM2596, так и на основе экзотических решений с помощью однокристальных микро­ЭВМ. Но наличие двух входов обратной связи в семействе ШИМ-контроллеров, разработанных ф. Unitrode, до сих пор обусловливает их популярность. Эти микросхемы воспроизведены рядом фирм, в том числе и всемирно известных.
№2
2008
Сергей Петров
Схемотехника промышленных сварочных инверторов
На примерах промышленных изделий известных фирм сделан обзор схемотехники силовой части источников сварочного тока инверторного типа.
№2
2008
Артем Козлов
PolyZen — защита в комплексе: простая и надежная
PolyZen (сокращ. от PolySwitch+Zener) обеспечивает защиту по напряжению подобно стабилитрону, однако способен выдерживать перегрузки более высокой мощности. Схематически это изделие представляет собой цепочку из термистора (PTC) и стабилитрона.
№2
2008
Дмитрий Захаревич
Силовые конденсаторы повышенной мощности от EPCOS AG
Компания Еpcos разработала и развила передовое поколение силовых конденсаторов повышенной мощности PCC-HP (Power Chip Capacitor High Power), удовлетворяющих ключевым требованиям современного рынка силовых конверторов.
№8
2007
Виталий Шевченко
Интеллектуальные ключи производства International Rectifier
Современные пневматические автоматы, автомобили, станки используют в качестве управляющих органов соленоиды, катушки индуктивности и др. Для управления такими механизмами разработчику необходимо не только установить транзистор, но и обеспечить его работоспособность в случае аварийной ситуации. Как правило, предъявляется повышенное требование к плотности таких устройств, а часто это невозможно. Компании разработчики представили рынку интеллектуальные ключи с множеством защит. Среди таких компаний находится и International Rectifier.  В статье будут рассмотрены последние серии интеллектуальных ключей, выпускаемых компанией серийно.
№5
2007
Артем Козлов
PolySwitch: практичность и надежность!
Полимерные предохранители марки PolySwitch хорошо и давно известны производителям электронной аппаратуры. Компания Raychem Circuit Protection начала выпускать эти изделия с 1975 г. Эволюция продуктов этой марки продолжается и по сей день. Raychem CP прочно удерживает лидирующие позиции в сфере разработки и производства компонентов для защиты электронных цепей.
№4
2007
Виталий Шевченко
ИС корректора коэффициента мощности производства компании International Rectifier
Необходимость соблюдения правил мировых положений, определяющих ограничения по максимуму коэффициента нелинейных (гармонических) искажений для устройств с питанием от сети, означает то, что применение технологии корректировки коэффициента мощности (ККМ) стало ключевым аспектом для разработчиков источников питания. Мировые производители интегральных схем (ИС) предлагают множество технических решений для реализации такого класса систем, в том числе и компания International Rectifier. В статье будут рассмотрены основные режимы работы ККМ, их сравнение, описание устройства и работы ИС IR1150, демонстрационных наборов, выполненных на ее основе.
№4
2007
Виталий Шевченко
Схема управления лампами высокого давления от компании International Rectifier
В статье пойдет речь о ИС компании International Rectifier для управления лампами высокого давления. Будут рассмотрены устройство и принцип управления лампами высокого давления, даны рекомендации по построению схемы управления и защиты.
№3
2007
Дмитрий Бердников
Измерение индуктивности рассеяния в трансформаторах импульсных преобразователей с помощью LRC­метра
Автор приводит способ определения коэффициента связи двухобмоточного трансформатора и параметров Т­ и П­образной схем замещения по данным измерений импеданса по первичной стороне трансформатора с помощью стандартного LRC­метра. Для расчета используются результаты измерений при разомкнутой и замкнутой вторичной обмотке трансформатора.
№2
2007
Владимир Захаров
Симисторы от NXP Semiconductors
В статье дается краткий обзор конденсаторов, выпускаемых на основе полипропиленовых пленок со свойствами самовосстановления после пробоя, производимых компанией ELECTRONICON Kondensatoren GmbH.
№2
2007
Алексей Чекмарев
Особенности механического сжатия силовых прижимных полупроводниковых приборов
Прижимные силовые полупроводниковые приборы являются мощными компонентами управления потоками электрической энергии. Для того чтобы полностью использовать их потенциал, важно правильно выбрать механическую конструкцию всей сборки, включая прижимные полупроводники, охладители, шины и другие компоненты. В этой статье представлены некоторые важные аспекты, касающиеся механической конструкции и работы всей сборки, в которой использованы прижимные силовые полупроводники. Даны рекомендации по механическому сжатию прижимных силових полупроводниковых приборов.
№2
2007
Дмитрий Клименков
Новые способы комплексной защиты электрических цепей
В статье идет речь о защите от перегрузок с помощью самовосстанавливающихся предохранителей PolySwitch фирмы Raychem, в частности о серии LVR, рассчитанной для работы в сетях напряжением 220 В. Также рассматриваются новые продукты — микросборка PolyZen для защиты чувствительной электроники и элементы серии 2Pro для телекоммуникационных приложений.
№2
2007
Тарас Мысак
Конденсаторы для устройств силовой электроники
В статье дается краткий обзор конденсаторов, выпускаемых на основе полипропиленовых пленок со свойствами самовосстановления после пробоя, производимых компанией ELECTRONICON Kondensatoren GmbH.
№2
2007
Андрей Санчугов, Владимир Гутин
Триак — современная отечественная элементная база для силовой преобразовательной техники
ООО «Фирма ТКД» осуществляет комплексные поставки силовых полупроводниковых приборов флагмана украинского силового приборостроения ООО «Элемент­Преобразователь», производящего широкий ряд низкочастотных диодов, тиристоров, силовых полупроводниковых модулей и являющегося одним из немногих предприятий в мире, выпускающих мощные симметричные тиристоры (триаки) с двухполярным управлением, которые весьма эффективны в качестве регуляторов и коммутаторов в цепях переменного тока промышленной частоты.
№2
2007
Ярослав Белецкий
Двухканальный звуковой усилитель — драйвер шагового двигателя
В статье описана интересная возможность применения усилителя D­класса в качестве драйвера шаговых двигателей. На примере приведенного схемного решения рассматриваются основные моменты функционирования микросхемы MAX9715 как типичного представителя новых усилителей D­класса.
№2
2007
Виталий Шевченко
Демонстрационные наборы для привода компании International Rectifier
При проектировании привода разработчику необходимо произвести выбор элементной базы системы управления, защиты и силовой части привода. Компании­производители процессоров имеют в своей линейке множество решений для управления различными типами двигателей, предлагая при этом различные отладочные комплекты. Как показали исследования документации интегральных схем (ИС) для силовой части привода, компании­разработчики, к сожалению, ограничиваются краткой документацией на данный продукт с приведением основных параметров и осцилограмм. При этом предполагается, что разработчик должен изначально понимать особенности применения данного типа (ИС). В статье будут рассмотрены демонстрационные наборы для привода компании International Rectifier, описаны их устройство и принцип работы основных компонентов.
№2
2007
Юрий Коваль
SONIC — новое поколение диодов с быстрым и плавным восстановлением
Корпорация IXYS — лидер в производстве силовых полупроводников для таких применений как: преобразователи мощности и управление электродвигателями — предлагает новое поколение ультрабыстрых диодов под названием Sonic­FRD. Широкий диапазон максимальных обратных напряжений от 600 В до 1800 В и токами от 10 до 60 А (в перспективе от 5 до 250 А), низкая температурная зависимость, очень плавные и быстрые характеристики восстановления даже при высоких du/dt — это преимущества Sonic­FRD диодов перед обычными скоростными эпитаксиальными диодами (FRED).
№2
2007
Виталий Шевченко
Решение компании International Rectifier для управления освещением на больших площадях
В статье приведено описание системы управления освещением большого здания посредством применения цифрой системы управления, позволяющей создавать гибкие схемы освещения, а также уменьшить потребление энергии.
№9
2006
Эдуард Скоробогатько
Новое семейство IGBT модулей от Infineon Technologies AG серии PrimePACK
Мировым лидером по производству силовых полупроводниковых элементов признана компания Eupec, которая принадлежит infineon. Основной особенностью всей продукции компании eupec GmbH является повышенная устойчивость к перегрузкам (вибрация, температура, перенапряжения) для чего разработаны различные конструктивные решения (особенности корпуса, специальные подложки, внутреннее расположение элементов и дополнительные детали).
№9
2006
Виталий Шевченко
Использование драйверов компании International Rectifier
Поводом для написания статьи стали многочисленные однотипные вопросы от разработчиков импульсных устройств касающихся особенностей как расчета схемы включения ИС драйвера управления полевыми и IGBT транзисторами, так и топологии печатной платы.
№8
2006
Эдуард Скоробогатько
Сверхмощные IGBT-модули с улучшенными техническими характеристиками от компании Infineon (Eupec)
Основными тенденциями развития силовой электроники является стремление разработчиков увеличить плотность мощности, надежность и при этом, упростить сборку.
№7
2006
Павел Лоскутов
Простой способ компенсации реактивной мощности
Улучшение качества электроэнергии путем увеличения коэффициента мощности уменьшает расходы на ее производство и гарантирует быстрое возвращение капиталов.
Далее поговорим о реактивной мощности как таковой и о средствах борьбы с ней во имя прогресса, рационализации и уменьшении затрат на электроэнергию в народном хозяйстве.
№7
2006
Владимир Башкиров
Trench IGBT компании International Rectifier
В статье рассмотрены особенности нового поколения IGBT транзисторов компании International Rectifier, предназначенных для использования в массовом промышленном электр оприводе и приводе бытовой техники мощностью до нескольких киловатт. Благодаря высокой эффективности и высокому соотношению эффективность/цена новое поколение транзисторов способствует решению многих технических и экономических проблем при производстве привода малой мощности и импульсных источников питания.
№7
2006
В. Шевченко
Интегральные ключи IRIS от компании International Rectifier
Одним из основных требований, предъявляемых к современной электронной аппаратуре, является требование обеспечения минимальных габаритов и минимального потребления при максимальной эффективности (КПД). Прежде всего, это требование относится к вторичным источникам питания (ВИП), без которых не обходится практически ни одно электронное устройство, будь то музыкальное, видео или компьютерная техника. В данной статье речь пойдет об источниках питания, работающих от высоковольтного входного напряжения, например, сетевого.
№4
2006
В. Шевченко
Интеллектуальные силовые ключи компании International Rectifier
Силовые интеллектуальные ключи все большее применение находят в современных электроприборах. В отличии от силовых полевых транзисторов они защищены от переполюсовки, перегрева, перенапряжения, перегрузки по току, электростатического разряда и для конструктора является очень надежным устройством. Все интеллектуальные ключи управляются сигналом логического уровня и не требуют установки дополнительных драйверов управления.
№3
2006
А. Колпаков, Т. Мисак
SEMiXTM + SKYPERTM = адаптивный интеллектуальный силовой модуль IGBT нового поколения
Жесткая конкуренция, действующая в сфере производства компонентов силовой электроники, требует от фирм-производителей постоянного улучшения параметров компонентов, совершенствования технологий, разработки новых поколений элементов с уникальными характеристиками. Этого же требуют и растущие мировые требования по энергосбережению, эффективности и миниатюризации силовых преобразовательных устройств.
Фирмы-производители постоянно борются за снижение габаритов силовых модулей, повышение уровня их «интеллекта», снижение стоимости. У современного разработчика нет времени на схемотехнику, он хочет иметь максимально законченный силовой блок и заниматься только отработкой алгоритмов управления.
Благодаря усилиям инженеров и конструкторов SEMIKRON эта фирма является бессменным лидером в области компонентов для мощных применений.
№2
2006
А. Литвиненко
Да будет Свет!
При существующих мировых тенденциях, ведущих к осложнению ситуации с энергоносителями, актуальность внедрения энергосберегающих технологий в Украине трудно преувеличить. В то время как политики заявляют о приоритетности экономного использования энергоресурсов, компания GRAND Electronic уже готова предложить технические решения для реализации задач энергосбережения. Данная статья посвящена техническому решению позволяющему сэкономить до 80% электроэнергии при обеспечении освещенности бытовых помещений.
№2
2006
В. Шевченко
Решения компании International Rectifier для современных осветительных установок
Сегодня освещение нам необходимо везде, мы освещаем свое жилье, используем освещение для офиса, осуществляем подсветку витрин, концертное освещение передает настроение, наружное освещение архитектурных сооружений подчеркивает их величие, освещение улиц делает наши города сверкающими. Для реализации функции освещения  применяют различные методы и технологии. Компания International Rectifier предлагает разработчикам пять путей решения схем управления для освещения — управление: компактными флуоресцентными лампами, трубчатыми флуоресцентными лампами, галогенными лампами, лампами ввысокой интенсивности свечения  и схемы управления для супер ярких диодов.
№2
2006
Ю. Коваль
Применение микросхем IGBT/MOSFET драйверов корпорации IXYS в силовых электронных устройствах
Последние достижения в технологии изготовления MOSFET/IGBT силовых приборов и управляющих устройств позволяют производить их более эффективными и компактными. Все эти передовые наработки также будут относиться и к технологии изготовления MOSFET / IGBT микросхем драйверов корпорации IXYS, о которых будет далее повествоваться в этой статье, созданной на основе технических материалов от Abhijit D. Pathak, Sam Ochi, корпорация IXYS, Санта-Клара, США и Laschek-Enders, IXYS GmbH, Lampertheim, Германия.
№10
2005
А. Колпаков
Особенности параллельного соединения модулей IGBT

Параллельное соединение силовых ключей является основным способом наращивания мощности электронных модулей и преобразователей. В современной силовой электронике это в первую очередь относится к транзисторам с изолированным управляющим затвором – MOSFET и IGBT. Даже одиночный кристалл содержит множество параллельно соединенных ячеек затворов.  Практически любой модуль с изолированным затвором и с достаточно высоким током коллектора (более 500 А) представляет собой параллельное соединение силовых чипов, выполненное внутри корпуса модуля. Дальнейшее наращивание мощности достигается с помощью соединения силовых модулей.
Параллельная работа ключей в импульсных режимах создает массу проблем, главной из которых является необходимость статической и динамической токовой балансировки. В данной статье рассматривается один из основных аспектов параллельного соединения, касающийся симметрии характеристик проводимости IGBT транзисторов и антипараллельных диодов.

№9
2005
В. Кириленко
Микросхемы для силовой электроники производства НПО «Интеграл»
Продолжение. Начало см. «Chip News Украина», № 7, 2005 г.
№8
2005
А. Колпаков, Е. Лапин
Новые модули IGBT SEMIKRON – и лучше и дешевле!
Компания SEMIKRON является одним из ведущих мировых производителей компонентов силовой электроники. Продукция фирмы SEMIKRON насчитывает более 11000 различных наименований полупроводников в диапазоне мощности от единиц Вт до нескольких МВт. В номенклатуре SEMIKRON – модули IGBT, интеллектуальные модули IGBT, модули MOSFET, драйверы, тиристоры и диоды.
Несмотря на то, что компания SEMIKRON прославилась в первую очередь благодаря своим уникальным разработкам, она выпускает широкую гамму стандартных продуктов, к которым относятся и модули IGBT SEMITRANS. Разработка новых поколений стандартных модулей IGBT позволяет заменять компоненты предыдущих серий без доработки конструкции, получая при этом очевидный технический и экономический выигрыш.
№8
2005
В. Кириленко
Микросхемы для силовой электроники производства НПО «Интеграл»
Последние наработки в области микроэлектроники и новые технологии, применяемые при создании ИС, дали рост еще одному направлению для применения микросхем – однокристальным контроллерам управления элементами силовой электроники. Цель предлагаемого цикла статей – ознакомить читателей журнала с разработками Минского НПО «Интеграл» в этом направлении и некоторыми особенностями практического применения этих приборов.
№7
2005
А. Осипенко
EUPEC – мировой лидер в разработке и производстве силовых модулей
Компания EUPEC, образованная в 1990 г. компаниями Siemens и AEG, сегодня является подразделением корпорации Infinion Technologies.
№7
2005
Г. Штрапенин
Интегральные импульсные стабилизаторы напряжения фирмы National Semiconductor
Интегральные стабилизаторы напряжения (ИСН) являются неотъемлемой частью современной радиоэлектронной аппаратуры (РЭА), характеристики которой в значительной степени определяются стабильностью питающих напряжений. За сравнительно короткое время схемотехника ИСН прошла путь от простейших линейных стабилизаторов, требовавших использования большого числа внешних элементов, до мощных универсальных импульсных устройств с минимальным числом выводов и коэффициентом полезного действия, достигающим 97%. Фирма National Semiconductor является одним из ведущих мировых производителей интегральных стабилизаторов напряжения всех типов. Микросхемы, разработанные National Semiconductor [1], в огромных количествах выпускаются и другими фирмами во многих странах.
№7
2005
В. Олейник
Применение высокочастотных транзисторов STMicroelectronics
STMicroelectronics является одним из известных мировых производителей мощных высокочастотных транзисторов для промежуточных и выходных каскадов усилительных трактов радиопередающих устройств звукового и телевизионного вещания, систем сотовой связи, специальной и медицинской техники, аппаратуры радиолюбителей. Применительно к системам беспроводной связи транзисторы оптимизированы для усиления всех современных видов сигналов. Транзисторы используются в портативных переносных, подвижных и стационарных средствах связи. В публикуемой статье приведены основные параметры и технические характеристики мощных высокочастотных биполярных и полевых транзисторов STMicroelectronics.
№7
2005
И. Сотник
ECO-TOPTM1 – новая линейка корпусов от POWERSEM
В данной статье пойдет речь о новом корпусе силовых модулей немецкой фирмы POWERSEM, рассмотрены основные преимущества по сравнению с аналогичными модулями, представлены основные технические характеристики.
№7
2005
К. Бассо
Применение SPICE-моделей для расчета преобразователя напряжения на основе микросхемы NCP1200 ON Semiconductor
Из различных типов преобразователей напряжения, обратноходовые преобразователи (Flyback) предпочтительны для применения в импульсных источниках питания небольшой мощности в диапазоне от 1 до 100 Вт для широкого круга приложений, таких как сетевые адаптеры напряжения, зарядные устройства для различных типов аккумуляторов, факсов, принтеров, компьютерной периферии и различной бытовой и аудио/видеотехники. Благодаря не так давно представленному семейству микросхем NCP1200 компании ON Semiconductor, расчет проекта обратноходового преобразователя превратился практически в детскую игру: два пассивных компонента плюс MOSFET, трансформатор – и все! Однако, воздействие окружающей среды на систему может быть довольно непредсказуемо, поэтому очень сложно оценить такие факторы, как изменение ESR (последовательного эквивалентного сопротивления) конденсаторов из-за температурных циклов, старение конденсаторов, различные типы нагрузок, переходные процессы при переключениях нагрузки и MOSFET, уровень электромагнитных помех и т.д.
№7
2005
В. Шевченко
Проект «myPower» от International Rectifier
Компания International Rectifier на сайте www.irf.com представила новый раздел online моделирование схем – «myPower». В сочетании с разделом временного моделирования и наборами демонстрационных плат – поможет разработчикам сократить время на изготовление пробных образцов и перейти к выпуску продукции.
№7
2005
В. Макаренко
Силовые электромагнитные реле компании SCHRACK
В статье рассмотрены характеристики силовых электромагнитных реле производства компании Schrack, входящей в холдинг Tyco Electronics/AMP.
№7
2005
А. Колпаков, Е. Лапин
Полупроводниковые приборы фирмы SEMIKRON
Если Вы занимаетесь разработкой или производством изделий силовой электроники, то Вас, несомненно, заинтересует продукция фирмы SEMIKRON – одного из мировых лидеров в области производства электронных компонентов для мощных и сверхмощных применений.
№7
2005
М. Коннер
Пассивные и активные системы охлаждения зон перегрева
Проблема охлаждения в бытовой электронике важна как с точки зрения работоспособности, так и внешнего вида. Устройства для рассеивания тепла влияют на внешний вид систем, чувствительность и уровень шума. В большинстве разработок применяют либо комбинации вентиляторов с теплообменниками, либо чисто пассивные рассеиватели тепла – спрэдеры.
№7
2005
С. Оливе
Применение микросхемы корректора коэффициента мощности (ККМ) – IR1150
Необходимость соблюдения правил мировых положений, определяющих ограничения по максимуму коэффициента нелинейных (гармонических) искажений (КНИ) для устройств с питанием от сети, означает то, что применение технологии корректировки коэффициента мощности (ККМ-PFC) стало ключевым аспектом для разработчиков источников питания. Действительно, с такими стандартами как китайский «3Cs» (China Compulsory Certificate китайский обязательный сертификат), европейскими и японскими стандартами, американскими стандартами института IEEE, корректировка коэффициента мощности стала обязательным условием при изготовлении изделий, предназначенных для продажи и использования во всем мире.
№5
2005
С. Бондарь
Новые нестандартные и комплексные решения от компании Eupec
Eupec – мировой лидер в разработке и производстве силовых модулей. Компания, образованная в 1990 году компаниями Siemens и AEG, сегодня является подразделением корпорации Infinion Technologies. Главный офис компании находится в немецком городе Варштейн с заводами и представительствами в Венгрии, Франции и США.
№5
2005
Карл Смит
Новые технологии для архитектур распределенного питания с двухступенчатым преобразованием
Архитектура распределенного питания (Distributed Power Architecture – DPA) обеспечивает высокий общий коэффициент полезного действия и надежность. Сочетает в себе низкие затраты на внедрение для применения в сфере телекоммуникаций, Интернет и аналогичных систем.
№4
2005
А. Колпаков
MiniSKiiP II — новое поколение миниатюрных IGBT-модулей Semikron
Жёсткая конкуренция, действующая в сфере производства компонентов силовой электроники, заставляет фирмы-производители постоянно улучшать параметры компонентов, совершенствовать технологии, разработывать новые поколения элементов с уникальными характеристиками. К этому же приводят и растущие мировые требования по энергосбережению, эффективности и миниатюризации силовых преобразовательных устройств. Благодаря усилиям инженеров и конструкторов Semikron эта фирма является бессменным лидером в области компонентов для мощных применений. На выставке PCIM-2003, прошедшей в Нюрнберге в мае 2003 г., было представлено новое поколение миниатюрных модулей IGBT Semikron — MiniSKiiP II, появление которых ещё сильнее закрепляет лидерство Semikron среди производителей элементов силовой электроники. Одним из наиболее интересных конструкторских решений, предоставленных в данном типе модулей, являются усовершенствованные пружинные контакты, используемые в качестве силовых и сигнальных терминалов.
№5
2004

Powersem - современное решение в управлении электроприводами малой и средней мощности
Шведско-немецкая фирма "POWERSEM", существующая более 20 лет, известна как лидер в производстве компонентов силовой электронной техники.
№4
2004
А. Копылов
Cиловые полупроводники фирмы Infineon Technologies AG

Для создания современных силовых преобразователей требуются силовые полупроводниковые приборы, отвечающие следующим требованиям:

  • минимальные масса и габариты при максимальной мощности
  • высокое быстродействие;
  • повышенная устойчивость к электрическим воздействиям, возникающим в аварийных режимах (короткое замыкание, перегрузка по току, перенапряжение)
  • умеренная стоимость и высокая надежность
  • минимальные потери мощности.

Читателю предлагается обзор продукции одного из ведущих производителей такой элементной базы - фирмы Infineon Technologies AG.

№4
2004
Д. Павлюк
CSTBT- 5-е поколение модулей IGBT - "Mitsubishi-Electric"
Стандартные IGBT модули, как правило, оптимизированы для управления двигателями (или для подобных применений) с частотами до 15кГц. Одним из основных критериев оптимизации является напряжение насыщения VCE(SAT). Но на сегодняшний день модули находят все большее применение в таких областях, как мощные лазеры, медицина, телекоммуникации, индукционный нагрев, мощные сварочные источники питания и т.п. Здесь требуются более высокие частоты для получения лучших характеристик изделия и для уменьшения размеров магнитных компонентов (трансформаторы и т.п.). На высоких частотах потери на переключение становятся все более ощутимыми, и обычно это ограничивает применение стандартных модулей. Данная статья представляет IGBT модули "Mitsubishi-Electric" нового поколения, которые были разработаны с целью получения низкого напряжения VCE(SAT) и малых потерь при переключении на высоких частотах.
№4
2004
И. Полянский
IXYS - новое имя на отечественном рынке силовой электроники
В настоящее время на отечественном рынке широко представлены компоненты силовой электроники различных производителей. Что может быть нового на уже сложившемся рынке, что может заинтересовать отечественных разработчиков среди существующего разнообразия - ответить на этот вопрос поможет данная статья.
№4
2004


АНОНС СОБЫТИЙ





Все права защищены CHIP NEWS Ukraine 2006 статистика посещений Работа Создание сайта Создание сайта Media5